[发明专利]卡盘、基板保持装置、基板处理装置及物品的制造方法在审
| 申请号: | 202210197923.5 | 申请日: | 2022-03-02 |
| 公开(公告)号: | CN114999987A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
| 发明(设计)人: | 神谷重雄;是永伸茂 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘杨 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 卡盘 保持 装置 处理 物品 制造 方法 | ||
本发明提供通过使内周侧的凸部与外周侧的凸部的高度成为规定的关系而能够减少基板的扭曲的卡盘、基板保持装置、基板处理装置及物品的制造方法。该卡盘是用于吸附保持基板的卡盘,其特征在于,该卡盘包括:多个凸部,与被吸附保持的基板的背面抵接;环状的隔壁;以及底部,配置有多个凸部和隔壁,多个凸部由将配置在隔壁的外侧的第一凸部和配置在隔壁的内侧且隔着隔壁与第一凸部相邻的位置的第二凸部形成为一个组的多个组构成,在将多个组各自所包含的第一凸部的高度设为ho、将多个组各自所包含的第二凸部的高度设为hi时,满足hi>ho。
技术领域
本发明涉及卡盘、基板保持装置、基板处理装置及物品的制造方法。
背景技术
近年来,用于半导体元件制造等的缩小投影曝光装置为了对应于元件的微细化而进行高NA化。通过高NA化,分辨率提高,但有效的焦点深度减少。因此,为了维持分辨率且确保充分的实用深度,谋求了投影光学系统的像面弯曲的减轻、晶圆(基板)的厚度不均的改善、用于吸附保持晶圆的卡盘的平面精度的提高等晶圆平坦度(基板表面的平面度)的改善。
作为使基板表面的平面度降低的原因,有在卡盘与基板之间夹入异物的情况。若夹入异物,则有以下的情况:夹入了部分的基板以隆起的方式变形,产生形成于基板的图案的形成不良,成品率降低。为了大概率地避免这样的异物引起的成品率的降低,使用了使卡盘与基板的接触率大幅度地减少的使用所谓的销(凸部)的销接触卡盘(销式卡盘)。
在使用了该销式卡盘的情况下,基板在凸部间由于真空吸引力而变形并挠曲(扭曲),由此基板变形,也有基板表面的平面度降低的情况,为了改善该情况,提出了各种方案。
例如,在日本专利4298078号公报中,将围绕多个凸部那样的环状的隔壁(阻隔件)设置在销式卡盘上,将该隔壁配置在外周侧的凸部与同外周侧的凸部相邻的凸部即内周侧的凸部之间。而且,作为该隔壁的配置位置,配置成尽可能接近外周部侧的凸部。
此外,在日本特开2001-185607号公报中,将隔壁配置在比配置于最外周侧的凸部靠外侧的位置、或者最外周侧的凸部与同最外周侧的凸部相邻的内周侧的凸部之间。作为该隔壁的配置位置,将隔壁配置在从最外周侧的凸部与同最外周侧的凸部相邻的内周侧的凸部的距离的中心起外周方向的规定范围内的位置。
在对基板进行真空吸附时,隔壁的内侧保持在大致真空压力,并且产生吸附力,但是隔壁的外侧成为大气压力,基本上不产生吸附力。在日本专利4298078号公报以及日本特开2001-185607号公报中,为了使吸附力尽可能作用到基板的外侧,将隔壁配置在接近外周侧凸部的位置。然而,由于吸附力作用到基板的外侧,因此,存在基板表面的平面度降低、基板的扭曲(畸变)变大的问题。
发明内容
在本发明中,目的在于提供例如能够通过使内周侧的凸部和外周侧的凸部的高度为规定的关系来减少基板的扭曲的卡盘。
作为本发明的一技术方案的卡盘的特征在于,包括:多个凸部,与被吸附保持的基板的背面抵接;环状的隔壁;以及底部,配置有多个凸部和隔壁,多个凸部由将配置在隔壁的外侧的第一凸部和配置在隔壁的内侧且隔着隔壁与第一凸部相邻的位置的第二凸部形成为一个组的多个组构成,在将多个组各自所包含的第一凸部的高度设为ho、将多个组各自所包含的第二凸部的高度设为hi时,满足hi>ho。
本发明的进一步特征将通过以下参照附图对示例性实施方式的描述而变得明显。
附图说明
图1是例示实施例1的曝光装置的结构的概略图。
图2是例示承受均匀分布载荷的单侧固定且单侧自由的梁的材料力学模型的图。
图3A和图3B是例示实施例1的基板保持装置的图。
图4是例示悬臂梁的材料力学模型的图。
图5是例示实施例1的卡盘的剖视图的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





