[发明专利]抗冲击结构及包含该结构的继电器在审
| 申请号： | 202210197529.1 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN114400169A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 施生圣;范彬;李凯;曲敏;陶阳 | 申请（专利权）人： | 中汇森萨塔科技（芜湖）有限公司 |
| 主分类号： | H01H50/30 | 分类号： | H01H50/30;H01H50/04;H01H50/36 |
| 代理公司： | 上海大邦律师事务所 31252 | 代理人： | 郜少毅 |
| 地址： | 241199 安徽省芜湖市湾沚*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 冲击 结构 包含 继电器 | ||
1.抗冲击结构，所述抗冲击结构包括绝缘套以及与所述绝缘套连接的杆体，其特征在于：所述抗冲击结构还包括至少一磁性件，所述磁性件设置在所述杆体的外侧。
2.如权利要求1所述的抗冲击结构，其特征在于：所述磁性件与所述绝缘套抵接或所述磁性件全部或部分嵌入所述绝缘套。
3.如权利要求1所述的抗冲击结构，其特征在于：所述抗冲击结构还包括外壳，所述外壳与所述磁性件连接。
4.如权利要求1所述的抗冲击结构，其特征在于：所述抗冲击结构还包括金属片，所述金属片的一部分与所述绝缘套的一部分连接，所述金属片的另一部分连接所述磁性件，所述磁性件设置于轭铁板上。
5.如权利要求1所述的抗冲击结构，其特征在于：所述磁性件为单片时，所述磁性件被所述杆体贯穿。
6.如权利要求1所述的抗冲击结构，其特征在于：所述磁性件为多片时，多片所述磁性件以所述杆体为中心对称设置或非对称设置。
7.如权利要求6所述的抗冲击结构，其特征在于：所述磁性件具有第一磁极以及第二磁极，所述第一磁极以及所述第二磁极分别设置于所述磁性件的相对面。
8.如权利要求7所述的抗冲击结构，其特征在于：多片所述磁性件中任意两片磁性件的第一磁极以及第二磁极的布置方向相同。
9.如权利要求7所述的抗冲击结构，其特征在于：多片所述磁性件中任意两片磁性件的第一磁极以及第二磁极的布置方向不同。
10.如权利要求1所述的抗冲击结构，其特征在于：所述磁性件的形状为矩形、框形、圆环形、非矩形、非框形或非圆环形中的任意一种。
11.继电器，其特征在于：所述继电器包括如权利要求1～10任意一项所述抗冲击结构以及轭铁板，所述抗冲击结构具有一部分穿过所述轭铁板并与动铁芯连接，所述抗冲击结构穿过所述轭铁板的一部分还连接反力弹簧；所述抗冲击结构的另一部分通过触点压力弹簧连接动簧片；罩壳包围在所述抗冲击结构另一部分的外侧，在所述罩壳上设置静触头。
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