[发明专利]用于处理高分子的工艺溶液组合物

说明书

本发明涉及一种用于处理高分子的工艺溶液组合物，其包括：氟化合物；酮类溶剂；以及极性非质子溶剂，所述酮类溶剂是从由化学式1或化学式2表示的化合物组成的组中选择的至少一种，在半导体制造工艺中，在提高对残留在晶片电路面的粘合性聚合物的去除力的同时，还具有防止对各种金属造成损坏的效果。

技术领域

本发明涉及一种用于处理高分子的工艺溶液组合物，该工艺溶液组合物可以最大限度地减少对金属层的损伤，同时提高粘合性聚合物的去除力。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中，在半导体晶片(以下也称为“晶片”)的表面形成电子电路后，有时会对晶片进行背面研磨(back grinding)以使晶片的厚度变薄。在这种情况下，为了保护晶片的电路面并固定晶片，通常通过硅高分子等粘合性聚合物将支撑体贴附在晶片的电路面上。通过将支撑体贴附在晶片的电路面上，可以对晶片背面进行磨削后变薄的晶片进行加固，并且在晶片的研磨面形成背面电极等。

当晶片的背面研磨、背面电极形成等工艺完成后，将支撑体从晶片的电路面去除，剥离并去除粘性聚合物，并切割晶片以制造芯片。

此外，近年来，已经开发了使用穿过晶片安装的贯通电极(例如，硅贯通电极)的芯片堆叠技术。根据这种芯片堆叠技术，多个芯片的电子电路通过使用贯通电极而不是传统的导线来电连接。因此，可以实现芯片的高集成化和高速化。当使用这种芯片堆叠技术时，为了减小堆叠多个芯片的集合体的厚度，会经常进行晶片的背面磨削，因此使用支撑体或粘合性聚合物的机会增加。

然而，通常，在晶片的电路面通过粘接性聚合物贴附支撑体后，由于为了使晶片与支撑体牢固地粘合而进行热固化，因此当粘合性聚合物被剥离时，固化的粘合性聚合物可能会残留在支撑体和晶片的电路面上。因此，需要一种能够有效去除残留在晶片电路面上的固化的粘合性聚合物同时防止对晶片或金属膜损伤的方法。

同时，美国专利第6,818,608号是涉及一种用于溶解可固化聚合物树脂的组合物的发明，该组合物包含：(a)有机氟组分、(b)可溶性胺类组分以及用于组分a和b的溶剂。然而，根据上述文献，存在由于胺类化合物的使用而随着时间的推移会出现ER下降、网状型高分子去除速度慢或线型高分子去除性差、金属层受损伤等问题。

【现有艺术文献】

【专利文献】

(专利文献1)美国专利第6,818,608号

发明内容

【要解决的技术问题】

本发明旨在改善上述现有技术的问题，其目的在于提供一种用于处理高分子的工艺溶液，该工艺溶液在半导体制造工艺中以优异的速度被去除残留在晶片电路表面的网状型高分子和线型高分子等粘性聚合物而不会产生残留物，同时最大限度地减少对金属层的损伤并表现出优异的相稳定性。

然而，本申请要解决的问题不限于上述问题，本领域技术人员通过以下描述将清楚地理解其他未提及的问题。

【解决问题的技术方案】

本发明提供一种用于处理高分子的工艺溶液组合物，其包括：氟化合物；酮类溶剂；以及极性非质子溶剂，所述酮类溶剂是从由以下化学式1或以下化学式2表示的化合物组成的组中选择的至少一种。

[化学式1]

(在所述化学式1中，

R¹和R²各自独立地为C1至C18直链或支链烃基，或C3至C18环状脂肪烃基，并且R¹和R²能够形成环。)

[化学式2]

(在所述化学式2中，