[发明专利]分立器件测试方法

说明书

本发明公开了一种分立器件测试方法，其包括以下步骤：步骤一，接触测试；步骤二，第一次栅源漏电测试；步骤三，压力测试；步骤四，阈值测试；步骤五，其他测试项目；步骤六，第二次栅源漏电测试。本发明可以较好的得到稳定、可信赖的DC参数结果，方便测试，提高测试精度和芯片质量。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种分立器件测试方法。

背景技术

在半导体芯片测试领域，针对分立器件晶圆测试，一般只测试DC项目。

目前分立器件晶圆，主流都是200mm晶圆，随着市场的需求，技术不断开发，300mm分立器件晶圆制造厂也在不断增加。

目前分立器件的DC测试流程如图1所示，依次包括接触测试、栅源漏电(lgss)测试、阈值电压(vth)测试、其他测试项目、栅源漏电(lgss)测试。

在实际测试中，因某种限制，300mm晶圆需要使用厚片(未减薄)进行DC参数测试。针对200mm晶圆测试，厚片条件下，DC参数测试结果同减薄封装后测试结果一致，而且稳定；而某些300mm晶圆产品测试结果不稳定，而同减薄封装后测试结果不一致，影响芯片质量。如何使这些300mm晶圆产品的DC参数测试得到稳定、可信赖的测试结果，需要去研究。

发明内容

针对上述情况，为了克服现有技术的缺陷，本发明提供一种分立器件测试方法。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种分立器件测试方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤一，接触测试；

步骤二，第一次栅源漏电测试；

步骤三，压力测试；

步骤四，阈值测试；

步骤五，其他测试项目；

步骤六，第二次栅源漏电测试。

优选地，所述压力测试主要在分立器件的栅极、漏极、源极并在一定的时间内印加电压或者电流。

优选地，所述步骤三包括以下子步骤：

步骤三十一，针对厚度为200um～800um之间的晶圆产品在DC测试时，确认并找出某些关键测试项目是否存在重复测试、测试结果不稳定情况；

步骤三十二，如果存在不稳定情况，则要在测试流程中加入压力测试，压力测试通过针对芯片印加电压、电流，及控制好压力测试时间，经过压力测试后再行其他测试项目；

步骤三十三，如果存在不稳定情况，找出某个测试项目由不同的测试条件测试，其测试结果差别较大，以做为验证压力测试成功与否的判断；

步骤三十四，如果压力测试后，BV测试项目由不同的测试条件测试，其测试结果没有达到预期结果，则不断改变压力测试条件，直至该项目参数符合预期为止，记录此时的压力测试条件，放在DC测试流程中；

步骤三十五，在DC测试流程中加入压力测试和检验压力测试后，验证压力测试成功与否的测试项目，采用这个程序测试晶圆；

步骤三十六，通过增加压力测试的程序先测试厚片晶圆，得到相关测试结果，再把晶圆减薄后，采用未加压力测试步骤进行测试，得到相应的测试结果，这两个条件下的测试结果应该一致；

步骤三十七，如果发现测试结果由不一致，则需要改变压力测试条件，直至两者的测试结果一致；

步骤三十八，采用最终的增加压力测试条件的程序进行量产测试。

优选地，所述步骤一执行之前，如果晶圆在制造过程中，因发生变化导致测试结果不符合预期，则执行步骤三十四至步骤三十八。