[发明专利]混合材料在审
申请号: | 202210181783.2 | 申请日: | 2022-02-25 |
公开(公告)号: | CN114975836A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 吉安唯;桥本直明;高桥辰义;川上祥子;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50;C09K11/06;C09K11/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张桂霞;梅黎 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 混合 材料 | ||
1.一种混合材料,包含:
第一杂芳族化合物;以及
第二杂芳族化合物,
其中,所述第一杂芳族化合物由通式(G1)至通式(G6)中的任一个表示,
所述第一杂芳族化合物及所述第二杂芳族化合物由不同通式表示,
在通式(G1)中:
A1表示取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的苯并萘并噻吩基、取代或未取代的二萘并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并萘并呋喃基和取代或未取代的二萘并呋喃基中的任意个;
R11至R19分别独立地表示氢、碳原子数为1至4的烷基和取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基中的任意个;以及
Ar1表示取代或未取代的碳原子数为6至30的亚芳基,
在上述通式(G2)中:
R51至R58分别独立地表示氢、碳原子数为1至4的烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、取代或未取代的碳原子数为1至30的杂芳基和取代或未取代的碳原子数为1至6的杂环中的任意个,
在上述通式(G3)中:
A2表示具有芳香环或杂芳环的碳原子数为3至30的取代基;
R81至R87分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基和取代或未取代的碳原子数为6至13的芳烃基中的任意个;以及
n是2或3,
在上述通式(G4)中:
R101及R102分别独立地表示氢或总碳原子数为1至100的基,R101和R102中的至少一个通过取代或未取代的亚苯基或者取代或未取代的亚联苯基包括具有吡咯环结构、呋喃环结构和噻吩环结构中的任一个的环的取代基,
在上述通式(G5)中:
Ar2、Ar3、Ar4及Ar5分别独立地表示取代或未取代的芳烃环,所述芳烃环的取代基为碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的烷氧基、碳原子数为5至7的单环饱和烃基、碳原子数为7至10的多环饱和烃基和氰基中的任一个;
包含在所述芳烃环中的碳原子数为6以上且25以下,
m及n分别独立地为0或1;以及
R103及R104分别独立地表示氢或总碳原子数为1至100的基,R103和R104中的至少一个通过取代或未取代的亚苯基或者取代或未取代的亚联苯基包括具有吡咯环结构、呋喃环结构和噻吩环结构中的任一个的环的取代基,
并且,在上述通式(G6)中:
Ar2、Ar3、Ar4及Ar5分别独立地表示取代或未取代的芳烃环;
所述取代的芳烃环的取代基为碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的烷氧基、碳原子数为5至7的单环饱和烃基、碳原子数为7至10的多环饱和烃基和氰基中的任一个;
包含在所述芳烃环中的碳原子数为6以上且25以下;
m及n分别独立地为0或1;以及
R105及R106分别独立地表示氢或总碳原子数为1至100的基,R105和R106中的至少一个通过取代或未取代的亚苯基或者取代或未取代的亚联苯基包括具有吡咯环结构、呋喃环结构和噻吩环结构中的任一个的环的取代基。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择