[发明专利]一种利用脊条断续通电来调控激射波长的半导体激光器装置

说明书

本发明公开了一种利用脊条断续通电来调控激射波长的半导体激光器装置，其特征在于：包括半导体激光器装置，所述半导体激光器装置的种子光栅是沿激射腔连续的均匀光栅，所述半导体激光器装置的脊条和有源区间的导电区域与普通取样光栅的取样图案有相同的形状；本发明只用均匀光栅半导体激光器相同工艺的常规制作方法，使它的脊条和有源区间的导电区域与普通取样光栅取样图案有相同的形状，就获得了与普通取样光栅相同选频效果的光栅结构；与普通取样光栅半导体激光器相比，制作工艺的复杂性和制造成本有很大的降低，但激光器的阈值性能和量子转换效率有较大的提升。

技术领域

本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种利用脊条断续通电来调控激射波长的半导体激光器装置。

背景技术

利用取样光栅技术，可以用对微米至数十微米量级取样周期的控制，在激射信道中引入等效相移并调控激射波长的大小。这比在种子光栅中引入真实相移的方法，其加工精度要小一到两个数量级。

但是，用等效相移取样光栅来替代真实相移光栅的方法，是选用取样光栅除零级(即种子光栅)外某一级子光栅作激射信道，而在选定激射信道中折射率调制强度与种子光栅相比，会有很大的降低。即使是以折射率调制强度最高的±1级子光栅之一作激射信道为例，其折射率调制强度也会降低到原来种子光栅中的1/π。这就造成普通等效相移取样光栅半导体激光器与真实相移光栅半导体激光器相比，其阈值较高，发光效率也有相当程度的降低。

发明内容

针对背景技术中提到的问题，本发明的目的是提供一种利用脊条断续通电来调控激射波长的半导体激光器装置，以解决背景技术中提到的问题。

本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种利用脊条断续通电来调控激射波长的半导体激光器装置，包括半导体激光器装置，所述半导体激光器装置的种子光栅是沿激射腔连续的均匀光栅，所述半导体激光器装置的脊条和有源区间的导电区域与普通取样光栅的取样图案有相同的形状。

较佳的，所述半导体激光器装置的电极是连续的单一电极，或是通过断开并间隔一定间距、或者通过注入氦离子、或者通过刻蚀电隔离沟相电隔离方式形成的多个电极。

较佳的，所述相电隔离方式形成的多个电极包括有三个相电隔离的电极，三个所述相电隔离的电极分别为中间电极和两端电极，所述中间电极下脊条与有源区之间导电区域为连续的均匀取样图案或中心有等效相移的均匀取样图案，所述半导体激光器装置的两端一同镀有高增透膜；所述两端电极用导线可连接在一起形成同一个电极。

较佳的，所述半导体激光器装置两端电极长度相同。

较佳的，所述两端电极与所述中间电极的长度相同。

较佳的，所述相电隔离方式形成的多个电极包括有两个相电隔离的电极，两个所述相电隔离的电极下脊条与有源区间的导电区域是连续的均匀取样图案，所述半导体激光器装置的两端分别镀有高增透膜和高反射膜。

较佳的，所述镀高增透膜一端的电极长于镀高反射膜一端的电极。

较佳的，所述镀高增透膜一端的电极和镀高反射膜一端的电极长度比为2：1。

综上所述，本发明主要具有以下有益效果：

本发明只用均匀光栅半导体激光器相同工艺的常规制作方法，使本发明激光器的脊条和有源区间的导电区域与普通取样光栅取样图案有相同的形状，就获得了与普通取样光栅相同选频效果的光栅结构；与普通取样光栅半导体激光器相比，制作工艺的复杂性和制造成本有很大的降低，但激光器的阈值性能和量子转换效率有较大的提升。

附图说明

图1为本发明实施例提供的脊条断续通电的半导体激光器结构示意图；

图2为本发明实施例半导体激光器等效π相移取样图案形状脊条示意图；