[发明专利]近场用噪声抑制片及其制造方法

权利要求书

1.一种近场用噪声抑制片，其包含由有机物构成的基材和担载于所述基材中的扁平状的Fe粉末，

所述Fe粉末的Fe含量为95mass％以上、厚度为1μm以下且粉末直径为20μm以下，

Fe粉末相对于所述基材的填充量为40vol％以上且70vol％以下，

在粉末X射线衍射中检测的Fe的bcc(200)面的峰的半宽度为0.4以上。

2.根据权利要求1所述的近场用噪声抑制片，其中，在10GHz的虚部磁导率μ”的值为2.0以上。

3.根据权利要求1所述的近场用噪声抑制片，其中，所述近场用噪声抑制片的表面电阻为10⁵Ω/□以上。

4.根据权利要求2所述的近场用噪声抑制片，其中，所述近场用噪声抑制片的表面电阻为10⁵Ω/□以上。

5.根据权利要求1或2所述的近场用噪声抑制片，其中，所述Fe粉末是将羰基铁粉进行扁平加工而成的。

6.根据权利要求1或2所述的近场用噪声抑制片，其还包含由氮系化合物和氢氧化系化合物中的任一种以上构成的阻燃剂。

7.根据权利要求4所述的近场用噪声抑制片，其还包含由氮系化合物和氢氧化系化合物中的任一种以上构成的阻燃剂。

8.根据权利要求1或2所述的近场用噪声抑制片，其中，所述近场用噪声抑制片的厚度为25μm以上且1200μm以下。

9.根据权利要求4或7所述的近场用噪声抑制片，其中，所述近场用噪声抑制片的厚度为25μm以上且1200μm以下。

10.一种近场用噪声抑制片的制造方法，所述制造方法包括：

将Fe含量为95mass％以上、平均粒径为2μm以上且8μm以下的原料Fe粉末以湿式进行扁平加工，得到厚度为1μm以下且粉末直径为20μm以下的扁平状的Fe粉末，

将所述扁平状的Fe粉末与由有机物构成的基材混合得到混合物，

将所述混合物成型为片状，得到近场用噪声抑制片，

其中，对所述扁平加工后的扁平状的Fe粉末不实施200℃以上的热处理。

11.根据权利要求10所述的近场用噪声抑制片的制造方法，其中，所述原料Fe粉末为羰基铁粉。