[发明专利]一种反渗透膜硅垢清洗剂及其制备方法

说明书

本发明公开了一种反渗透膜硅垢清洗剂及其制备方法，按质量百分比计包括：有机酸清洗剂占比为10％—25％，增效剂占比为3％—5％，分散剂占比为1％—5％，缓蚀剂占比为0.2％—0.3％，表面活性剂占比为2％—5％，余量为去离子水。本发明反渗透膜硅垢清洗剂以有机酸清洗剂、增效剂、分散剂、缓蚀剂及表面活性剂为主要成分，能够有效去除反渗透膜表面硅垢，且不造成二次污染，不损坏膜元件，并使膜通量能得到有效恢复。其中分散剂可使膜表面硅垢得到疏松、软化，协同表面活性剂可促使硅垢污染物从膜元件上快速脱落，使得清洗效率大大提高。

技术领域

本发明涉及反渗透膜清洗剂领域，具体而言，涉及一种反渗透膜硅垢清洗剂及其制备方法。

背景技术

反渗透膜是一种新型的膜分离技术，它通过压力差脱除溶液中的盐类及低分子物。在正常运行一段时间后，反渗透膜组件会被在给水中可能存在的悬浮物质或难溶物质的污染。这些污染物中最常见的为碳酸钙垢、硫酸钙垢、金属氧化物垢、硅沉积物及有机或生物沉积物，这些物质沉积在膜表面上，将会引起反渗透置出力下降或除盐率下降，因此，为了恢复良好的透水和除盐性能，需要对膜进行化学清洗。

其中，反渗透膜硅垢污染主要以胶体硅、硅酸盐及微粒硅的形式存在，硅酸盐是硅在水中形成的硅酸(H₄SiO₄)化合物；硅胶体是水中的硅酸经过吸氢缩合和脱水聚合，形成硅胶团空间结构；微粒硅与水中的颗粒状悬浮物结合后会形成较大的硅质垢。硅垢污染难溶于水且极易凝聚，形成之后会使膜通量大幅度降低，严重影响生产效率，因此，有必要开发一款针对硅垢污染的高效、环保且对膜元件无损伤的清洗剂。

硅垢一般能够溶解于氢氟酸，在强碱的作用下也能溶解一部分，要想通过这两种方法有效去除硅垢，需将反渗透膜片浸泡于药剂中较长时间，但碍于反渗透膜耐酸碱性有限，此法容易影响膜元件的使用寿命，且目前市面上所用硅垢专用清洗剂的清洗效果收效甚微。

公开号为CN 113244776 A的专利公开了一种膜清洗剂，用来去除硅垢污染，其配方中加入了20％—30％二氯胺，二氯胺是一种油状液体，有毒，分子式为NHCl₂，易水解为次氯酸和次氯酸铵，具有强氧化性并带有刺鼻气味，且在光照下易分解，不易保存，容易造成二次污染，其水解产物有损坏膜分离层、影响膜元件截留性能的风险。

鉴于此，本申请发明人发明了一种反渗透膜硅垢清洗剂及其制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够有效去除膜表面硅垢，且不造成二次污染，不损坏膜元件，并使膜通量能得到有效恢复的反渗透膜硅垢清洗剂及其制备方法。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：一种反渗透膜硅垢清洗剂及其制备方法，按质量百分比计包括：有机酸清洗剂占比为10％—25％，增效剂占比为3％—5％，分散剂占比为1％—5％，缓蚀剂占比为0.2％—0.3％，表面活性剂占比为2％—5％，余量为去离子水。

进一步地，所述有机酸清洗剂为氨基磺酸、柠檬酸、柠檬酸铵中的一种或几种。

进一步地，所述增效剂为氟化氢铵、氟化钠中的一种或几种。

进一步地，所述分散剂为氨基三亚甲基膦酸、聚丙烯酸、单宁中的一种或几种。

进一步地，所述缓蚀剂为乌洛托品、硫脲中的一种或几种。

进一步地，所述表面活性剂为壬基酚聚氧乙烯醚、琥珀酸二烷酯磺酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚、聚乙二醇、十二烷基苯磺酸钠中的一种或几种。

一种反渗透膜硅垢清洗剂的制备方法，采用权利要求1至6中任一所述的清洗剂，包括以下步骤：

S1：去离子水加热至30℃，并保持恒温；

S2：将有机酸清洗剂、增效剂与S1中的去离子水混合，并以80—120r/min的转速搅拌1h；