[发明专利]一种航空航天用GH99合金细晶强化方法

权利要求书

1.一种航空航天用GH99合金细晶强化方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、准备原材料；

S2、原材料改锻，包括第一阶段改锻和第二阶段改锻，第一阶段改锻：原材料镦粗和拔长，原材料的锻造温度范围控制在1130～1185℃，镦粗和拔长的单道次变形量控制在38～47％；第二阶段改锻：原材料的锻造温度范围控制在1115～1155℃，镦粗和拔长的单道次变形量控制在38～47％；

S3、原材料进行镦粗和冲孔，锻造温度控制在1080～1130℃，单道次变形量≥50％；

S4、原材料进行碾环得到锻件，包括第一火碾环和第二火碾环，两次碾环锻造温度均控制在1055～1185℃，两次碾环的单道次变形量均控制在35～45％；

S5、锻件固溶，固溶温度为1080～1120℃，保温时间为1～2h，冷却到室温；

S6、锻件时效处理，锻件时效处理温度为900℃，保温时间为4～6h，最后冷却到室温。

2.根据权利要求1所述的一种航空航天用GH99合金细晶强化方法，其特征在于：在步骤S2的第一阶段改锻中，原材料的锻造温度范围控制在1150～1180℃，镦粗和拔长的单道次变形量控制在40～45％。

3.根据权利要求2所述的一种航空航天用GH99合金细晶强化方法，其特征在于：在步骤S2的第二阶段改锻中，原材料的锻造温度范围控制在1120～1150℃，镦粗和拔长的单道次变形量控制在40～45％。

4.根据权利要求1所述的一种航空航天用GH99合金细晶强化方法，其特征在于：在步骤S3中，锻造温度控制在1100～1120℃。

5.根据权利要求1所述的一种航空航天用GH99合金细晶强化方法，其特征在于：在步骤S4中，锻造温度控制在1060～1080℃。

6.根据权利要求1所述的一种航空航天用GH99合金细晶强化方法，其特征在于：在步骤S5中，固溶保温时间为1.5h。

7.根据权利要求6所述的一种航空航天用GH99合金细晶强化方法，其特征在于：在步骤S5中，冷却方式为空冷。

8.根据权利要求1所述的一种航空航天用GH99合金细晶强化方法，其特征在于：在步骤S6中，时效保温时间为5h。

9.根据权利要求8所述的一种航空航天用GH99合金细晶强化方法，其特征在于：在步骤S6中，冷却方式为空冷。

10.一种权利要求1-9任一项的航空航天用GH99合金细晶强化方法制造的合金锻件，其特征在于：包括按照质量百分比计算的元素组分：C≤0.07％；Cr17.0～20.5％；W5.0～7.0％；Mo3.5～4.5％；Al1.7～2.5％；Co：5.0～8.0％；Ti1.0～1.5％；Fe≤0.02％；B≤0.005％；Mg≤0.01％；Ce≤0.02％；Mn≤0.4％；Si≤0.5％；P≤0.015％；S≤0.015％；余量为Ni。