[发明专利]一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液及其制备方法

说明书

本发明公开了一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液及其制备方法，按照组成成分及含量：包括20～25g/L硝酸银、100～120g/L甲酰乙内脲、10～15g/L支持电解质、40～50g/LpH调节剂、200～480mg/L电镀添加剂、1.5～5g/L光刻胶保护剂和去离子水，所述电镀添加剂包括0.06～0.07g/L表面活性剂、0.22～0.25g/L主光亮剂、0.08～0.10g/L次级光亮剂和0.03～0.05g/L细化剂。本发明中，通过调整镀液组分与配比，使得镀液处于中性或者弱碱性条件下，避免镀液对光刻胶的酸碱腐蚀，同时，通过添加一定量的光刻胶保护剂，并调整光刻胶保护剂的用量适配于镀液性能不受影响，而又对引线框架表面的光刻胶具备防腐蚀保护作用，从而提高引线框架后期经曝光后形成图案纹路的光滑性。

技术领域

本发明涉及先进电子电镀技术领域，尤其涉及一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液及其制备方法。

背景技术

作为集成电路的芯片载体，引线框架除了具有固定芯片的作用，也为焊接提供引线和导脚，保证引线框架与芯片及金属丝间的可焊性，确保元件的电性能，在高端电子制造领域，为获得导电性良好、焊接性优良和稳定性较高的芯片，通常需要在引线框架上电镀一层致密的银层。

首先，传统的引线框架镀银是利用的氰化镀银工艺，氰化镀银具有稳定性好、效率高、维护性佳等特点。其一般工作在pH值大于9.5的碱性范围。然而，由于集成电路电镀加工精度逐步提高，特别是近年来随着光刻技术的进步，先进的加工技术已经进入到数纳米的尺度。因此，传统的机械冲压的引线框架因其存在较大的内应力和机械冲压带来的细微形变，而无法满足精细集成电路制造技术的要求。

其次，近年来，基于掩膜-曝光-显影-蚀刻等序列工艺的蚀刻引线框架技术正在逐步替代传统的机械冲压引线框架。生产中，引线框架的基板一般用一层或多层的聚合物光刻胶遮挡多余部分形成固定图案，该感光胶对碱敏感，显影步骤也是利用碱性的碳酸钾为主成分的溶液去除未感光的部分。所以蚀刻后的引线框架镀银工艺中，镀液的pH值必须低于9.0，使镀银的过程不会对感光胶有腐蚀作用，保证了镀银图案的精确度。然而现有的氰化镀银工艺无法满足这一特定的要求,其pH值过高，容易造成光刻胶的腐蚀溶解，影响引线框架的图案纹路的质量。经过多年的研究与改进，体系丰富的无氰镀银工艺有望满足这一工艺要求。

现有的无氰镀银体系有硫代硫酸盐、亚氨基二磺酸铵、磺基水杨酸、烟酸、丁二酰亚胺等，不同体系之间，优缺点不尽相同，如硫代硫酸盐体系配制方便，pH值在4.0～6.0，但该体系的镀液不能长时间保存，亚氨基二磺酸铵体系工作pH值在8.5～9.0，溶液氨气挥发严重，对操作环境的通风要求高，磺基水杨酸体系工作pH值在7.0～8.0，镀液稳定性好，但成本较高、工作电流密度小等，5，5-二甲基乙内酰脲虽然具有稳定性好，适用性广等优点，但其镀液pH值一般大于10.0，难以直接用于蚀刻引线框架镀银。

发明内容

为了解决上述背景技术中所提到的技术问题，而提出的一种适用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液及其制备方法。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液，按照组成成分及含量：包括20～25g/L硝酸银、100～120g/L甲酰乙内脲、10～15g/L支持电解质、40～50g/L pH调节剂、200～480mg/L电镀添加剂、1.5～5g/L光刻胶保护剂和去离子水，所述电镀添加剂包括0.06～0.07g/L表面活性剂、0.22～0.25g/L主光亮剂、0.08～0.10g/L次级光亮剂和0.03～0.05g/L细化剂；

所述光刻胶保护剂包括3-氯-4-羟基-2(1H)-吡啶酮、6-苯基-2-羟基吡啶酮和4-(4-氯苯基)-2-羟基噻唑中的一种；

所述表面活性剂包括聚氧乙烯胺、聚氧乙烯酰胺和烷基醇酰胺中的一种；