[发明专利]电子级多晶硅棒热破碎方法在审
| 申请号： | 202210135541.X | 申请日： | 2022-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN114345511A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 闫家强;张天雨;田新;吴鹏;韩秀娟 | 申请（专利权）人： | 江苏鑫华半导体材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B02C19/18 | 分类号： | B02C19/18;B02C1/14;B02C21/00;B02C25/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 吴婷 |
| 地址： | 221004 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 多晶 硅棒热 破碎 方法 | ||
1.一种电子级多晶硅棒热破碎方法，其特征在于，包括：
(1)采用第一传送单元将待加热的多晶硅棒传送至加热仓内，通过所述加热仓内的加热元件对所述多晶硅棒进行加热，加热过程中所述加热仓内充满保护气体；
(2)采用所述第一传送单元将加热完成的所述多晶硅棒运出所述加热仓，并将所述多晶硅棒传送至冷却槽中进行快速冷却；
(3)将冷却完成的所述多晶硅棒转移至第二传送单元上进行干燥；
(4)采用所述第二传送单元将干燥完成的所述多晶硅棒传送至接料槽内，进行破碎，以获得破碎的多晶硅棒。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，加热完成的所述多晶硅棒的温度为500～1000℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中所述冷却槽的水温为20～40℃，所述冷却槽中水的电阻率为18MΩ*cm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述加热过程包括：
以15～20℃/min的加热速度将所述多晶硅棒加热至350-450℃；
以25～35℃/min的加热速度将350-450℃的多晶硅棒加热至500～1000℃。
5.根据权利要求1～4任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一传送单元与所述多晶硅棒接触的表面为石英，所述所述第二传送单元与所述多晶硅棒接触的表面为石英。
6.根据权利要求1～4任意一项所述的方法，其特征在于，所述加热元件为碳纤维加热管。
7.根据权利要求1～4任意一项所述的方法，其特征在于，所述冷却槽接触水的内衬的材质为PVDF。
8.根据权利要求1～4任意一项所述的方法，其特征在于，所述干燥传送台与所述接料槽的高度差为0.8～1.5m。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中通过机械手将所述冷却槽中的所述多晶硅棒转移至所述第二传送单元，所述机械手与所述多晶硅棒接触的表面为石英。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括采用破碎锤将接料槽内的多晶硅棒敲碎；
任选地，所述破碎锤捶打时的力度为70～90N。
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