[发明专利]一种杂原子掺杂二硫化钼纳米复合材料的制备及其应用

权利要求书

1.一种杂原子掺杂MoS₂纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）采用水热法，在基底上负载2H相MoS₂纳米片；

（2）将步骤（1）制得的负载MoS₂纳米片的基底浸入金属盐溶液中，得到附着金属盐的2H相MoS₂纳米材料；所述金属盐溶液为氯铂酸溶液；所述金属盐溶液的浓度为50~55 mM；

（3）采用等离子体轰击所述附着金属盐的2H相MoS₂纳米材料表面，得到所述杂原子掺杂MoS₂纳米复合材料；所述等离子体由氮气形成；

所述等离子体的流量为60~80 sccm，所述轰击的功率为180~200 W，轰击时长为1.5~2h。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基底为碳布或泡沫镍。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，在基底上负载2H相MoS₂纳米片的制备方法如下：

1）将钼酸铵的水溶液与硫脲的水溶液混匀，得到反应液；

2）将所述反应液和基底进行加热反应，后处理得到负载2H相MoS₂纳米片的基底。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述钼酸铵与所述硫脲的摩尔比为1:30~35。

5.一种权利要求1~4中任一项所述的制备方法制得的杂原子掺杂MoS₂纳米复合材料。

6.权利要求5所述的杂原子掺杂MoS₂复合材料在电催化制氢中的应用。