[发明专利]片上系统及包括片上系统的电子系统在审
| 申请号: | 202210123166.7 | 申请日: | 2022-02-07 |
| 公开(公告)号: | CN115080499A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
| 发明(设计)人: | 柳凤炜;李益洙;李宰坤 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G06F15/78 | 分类号: | G06F15/78;G06F1/26;G06F1/28 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴晓兵 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 系统 包括 电子 | ||
一种片上系统,包括:处理单元,包括第一处理电路和第二处理电路;连接电路,被配置为形成将所述第一处理电路和所述第二处理电路中的一个连接到外部电容器的路径;以及控制器,被配置为基于所述第一处理电路和所述第二处理电路中的至少一个的状态来控制所述连接电路。
相关申请的交叉引用
本申请基于2021年3月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2021-0031751并且要求其优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开的实施例涉及片上系统,具体涉及用于有效控制电压下降的片上系统及包括该片上系统的电子系统。
背景技术
电压下降可以包括在电路驱动负载、提供需要的负载电流时来自该电路的输出电压上的损耗。下降可能是由于例如电压源与负载之间的一定量的电阻引起的。
片上系统(SoC)中包括的高性能处理电路(功能电路或半导体电路)的电源电压根据操作环境和要执行的操作的水平而波动,并且处理电路可以从外部电容器接收电容,以改善其中电源电压一般显著下降的下降现象。
此外,虽然仍然需要外部电容器来改善处理电路中出现的下降现象,但是片上系统的设计面积由于工艺小型化而减小,因此,布置外部电容器的区域受限。
发明内容
示例实施例提供了如下片上系统及包括该片上系统的电子系统,该片上系统控制片上系统中的处理电路与外部电容器之间的连接以有效地使用外部电容器。
根据示例实施例,一种片上系统,包括:处理单元,包括第一处理电路和第二处理电路;连接电路,被配置为形成将所述第一处理电路和所述第二处理电路中的一个连接到外部电容器的路径;以及控制器,被配置为基于所述第一处理电路和所述第二处理电路中的至少一个的状态来控制所述连接电路。
根据示例实施例,一种电子系统,包括:片上系统,包括多个处理电路;多个专用电容器,分别分配给所述多个处理电路;以及共享电容器,由所述多个处理电路中的至少两个处理电路共享,其中,所述片上系统包括:连接电路,被配置为形成将所述至少两个处理电路连接到所述共享电容器的路径;以及控制器,被配置为基于所述至少两个处理电路的状态来控制所述连接电路。
根据示例实施例,一种片上系统,包括:处理单元,包括分别连接到外部专用电容器的第一处理电路和第二处理电路;连接电路,被配置为形成将附加电容从外部电容器提供给所述第一处理电路和所述第二处理电路中的至少一个的路径;以及控制器,被配置为通过考虑分别施加到所述第一处理电路和所述第二处理电路的电源电压中出现下降来控制所述连接电路。
附图说明
根据以下结合附图进行的详细描述,将理解本公开的实施例,在附图中:
图1A和图1B是示出根据示例实施例的电子系统的框图;
图2A和图2B是示出图1A的第一处理电路和第二处理电路的图;
图3是示出根据示例实施例的操作片上系统的方法的流程图;
图4是具体示出根据示例实施例的操作片上系统的方法的流程图;
图5是示出应用图4的实施例的片上系统的框图;
图6是具体示出根据另一示例实施例的操作片上系统的方法的流程图;
图7是示出应用图6的实施例的片上系统的框图;
图8A和图8B是示出外部电容器和片上系统的实施方式示例的框图;
图9是示出根据另一示例实施例的操作片上系统的方法的流程图;
图10是示出根据示例实施例的结合闭环动态电压频率调整(CL-DVFS)操作执行的外部电容器与片上系统之间的连接操作的框图;
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