[发明专利]一种频带宽/窄可调的太赫兹吸收器在审

专利信息
申请号: 202210107522.6 申请日: 2022-01-28
公开(公告)号: CN115032728A 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 陈喆;陈金江;沈韬 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: G02B5/00 分类号: G02B5/00;G02B5/18;H01Q17/00
代理公司: 昆明明润知识产权代理事务所(普通合伙) 53215 代理人: 王鹏飞
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 频带 可调 赫兹 吸收
【权利要求书】:

1.一种频带宽/窄可调的太赫兹吸收器,其特征在于:所述吸收器从下至上依次由金属衬底层、下光学介质层、石墨烯层、上光学介质层构成,从而实现高吸收率和频带宽/窄可调控的功能;

所述金属衬底层为光栅结构,下光学介质层以填充的方式平铺于金属介质层之上,石墨烯层平铺于下介质层之上,上光学介质层平铺于石墨烯层之上。

2.根据权利要求1所述的频带宽/窄可调的太赫兹吸收器,其特征在于:所述吸收器能够主动调谐太赫兹波段。

3.根据权利要求2所述的频带宽/窄可调的太赫兹吸收器,其特征在于:所述调谐太赫兹波段的方式为向所述吸收器的石墨烯层上施加电压来改变石墨烯的费米能级,从而改变石墨烯层的光学性质,进而实现太赫兹吸收器的吸收波段及吸收带宽的调谐。

4.根据权利要求1所述的频带宽/窄可调的太赫兹吸收器,其特征在于:所述吸收器在外界环境中,其工作频段在4.5THz至9THz之间。

5.根据权利要求1所述的频带宽/窄可调的太赫兹吸收器,其特征在于:所述金属衬底层由金、银、铝或铜中的一种制成。

6.根据权利要求1或5所述的频带宽/窄可调的太赫兹吸收器,其特征在于:所述所述金属衬底层的材料为银,其金属光栅脊与光栅底落差优选23μm。

7.根据权利要求1所述的频带宽/窄可调的太赫兹吸收器,其特征在于:所述上光学介质层和下光学介质层的材料的相对介电常数为2.2。

8.根据权利要求7所述的频带宽/窄可调的太赫兹吸收器,其特征在于:所述上光学介质层和下光学介质层的材料为柔性材料,从而实现所吸收器的柔性可弯曲特性。

9.根据权利要求8所述的频带宽/窄可调的太赫兹吸收器,其特征在于:所述柔性材料为聚偏氟乙烯二元聚合物,也可用相对介电常数在2至3之间的普通介质材料。

10.根据权利要求1或3所述的频带宽/窄可调的太赫兹吸收器,其特征在于:所述石墨烯层的费米能级的调谐范围为0~650meV。

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