[发明专利]一种编程方法、系统、装置和计算机可读存储介质

说明书

本发明公开了一种编程方法、系统、装置，编程方法包括：获取缓存中的编程数据以及编程数据对应在多比特非易失性存储器中的目标区域；从多个电压挡位中选定一个电压挡位作为目标电压挡位；根据编程数据、目标电压挡位以及编程数据与目标区域中存储单元的地址的对应关系，对编程数据在目标区域中对应的全部存储单元进行编程校验；当存在编程校验不通过的存储单元，根据缓存中的编程数据和目标电压挡位对目标区域中的全部存储单元进行编程，因为在进行编程校验和编程时都是根据选中的目标电压挡位对目标区域中的全部存储单元进行操作，所以可以减少加上存储阵列上的模拟电压的切换次数，从而降低在编程过程中的功耗和减少编程的时间。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种编程方法、系统、装置和计算机可读存储介质。

背景技术

非易失性存储器是整合大量的存储单元进行数据的存储的存储器，通常的非易失性存储器采用一个存储元存储1比特数据称为SLC(Single-Level Cell，单层单元闪存)；采用一个存储元存储2比特数据的非易失性存储器称为MLC(Multi-Level Cell，多层单元闪存)，而一个存储元存储的数据越多，则相同容量的存储芯片面积就越小，成本越低。

虽然采用多比特非易失性存储器可以降低相同容量的存储芯片的面积从而降低成本，但是现有的多比特非易失性存储器，存在在编程过程中，加在存储阵列上的模拟电压要频繁的切换(加电、泄电)，从而导致编程过程中功耗高且编程时间长的问题。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本发明实施例提供了一个编程方法、系统、装置和计算机存储介质，能够在多比特非易失性存储器的编程过程中，通过减少加在存储阵列上的模拟电压的切换次数，从而降低编程功耗和减少编程的时间。

第一方面，本发明实施例提供了一种编程方法，应用于多比特非易失性存储器，所述多比特非易失性存储器具有多个电压挡位，所述编程方法包括：

获取缓存中的编程数据以及所述编程数据对应在所述多比特非易失性存储器中的目标区域；

从所述多个电压挡位中选定一个电压挡位作为目标电压挡位；

根据所述编程数据、所述目标电压挡位以及所述编程数据与所述目标区域中存储单元的地址的对应关系，对所述编程数据在所述目标区域中对应的全部存储单元进行编程校验；

当存在所述编程校验不通过的存储单元，根据所述缓存中的编程数据和所述目标电压挡位对所述目标区域中的全部存储单元进行编程。

第二方面，本发明实施例提供了一种编程系统，应用于多比特非易失性存储器，所述多比特非易失性存储器具有多个电压挡位，所述编程系统包括：

存储模块，为存储数据的存储单元阵列；

选择模块，通过地址译码选择当前需要进行编程校验或编程的存储单元；

比较器模块，用于根据所述选择模块所选择的所述存储单元内存储元的阈值电压和电压参考值或电流参考值的大小输出比较结果；

参考模块，用于为所述比较器模块提供对应的所述编程校验的电压参考值或电流参考值；

缓存模块，用于存储编程数据和所述比较结果；

运算模块，用于根据所述比较结果，更新所述当前存储单元对应的所述编程数据；

编程模块，根据缓存模块中的所述编程数据和所述比较结果、模拟模块的目标挡位电压对所述选择模块选择的存储单元进行编程；

模拟模块，用于提供目标电压挡位电压给所述编程选择模块，及为所述存储模块中的存储单元的存储元提供对应的模拟电压；