[发明专利]抗静电表面保护膜的制造方法以及抗静电表面保护膜

权利要求书

1.一种抗静电表面保护膜的制造方法，其特征在于，所述抗静电表面保护膜的制造方法以工序(1)～工序(4)的顺序进行制备：

工序(1)：制备粘合剂组合物的工序，所述粘合剂组合物含有丙烯酸类聚合物和交联剂，所述丙烯酸类聚合物是由通过以下方式共聚并且重均分子量超过30万且100万以下的共聚物形成的丙烯酸类聚合物，其中，所述共聚物是使(A)烷基的碳原子数为C1～C18的(甲基)丙烯酸烷基酯中的至少一种以上的合计量100重量份和(B)含有羟基的可共聚单体中的至少一种以上的合计量1.0重量份～6.0重量份，以不含有具有羧基的可共聚单体的方式进行共聚而成，

所述粘合剂组合物含有作为所述交联剂的(C)三官能团以上的异氰酸酯化合物，进一步含有(D)交联延迟剂以及(E)作为交联促进剂的除锡化合物以外的交联促进剂；

工序(2)：在由具有透明性的树脂形成的基材膜的一表面形成交联了所述粘合剂组合物的粘合剂层的工序；

工序(3)：在所述基材膜的作为与所述一表面相反侧的表面的另一表面形成含有作为第一抗静电剂(K1)的碳纳米管的抗静电层的工序；以及

工序(4)：将在树脂膜的单面层叠有含有第二抗静电剂(K2)的剥离剂层的剥离膜经由所述剥离剂层贴合于所述粘合剂层的表面，并使所述剥离剂层的所述第二抗静电剂(K2)转印至所述粘合剂层的表面的工序，

所述剥离剂层通过树脂组合物形成，所述树脂组合物包含以二甲基聚硅氧烷为主要成分的剥离剂、在20℃下为液体的硅酮类化合物以及所述第二抗静电剂(K2)。

2.根据权利要求1所述的抗静电表面保护膜的制造方法，其特征在于，

将交联所述粘合剂组合物的粘合剂层以15μm的厚度层叠于厚度为38μm的聚酯膜的单面并使所述第二抗静电剂(K2)转印至所述粘合剂层的表面而形成的抗静电表面保护膜被贴合于偏振板表面后，从所述偏振板剥离所述抗静电表面保护膜时，在低速的剥离速度0.3m/min下的粘合力为0.01N/25mm～0.1N/25mm，在高速的剥离速度30m/min下的粘合力为1.0N/25mm以下。

3.根据权利要求1或2所述的抗静电表面保护膜的制造方法，其特征在于，

所述基材膜的表面的所述抗静电层的初始表面电阻率为1.0×10⁺¹⁰Ω/□以下，并在23℃×50％RH的环境中暴露于大气的状态下保存90天后的抗静电层的表面电阻率为1.0×10⁺¹⁰Ω/□以下。

4.根据权利要求1或2所述的抗静电表面保护膜的制造方法，其特征在于，

所述粘合剂组合物或者所述丙烯酸类聚合物中的至少一个包含(F)构成聚亚烷基二醇链的含聚亚烷基二醇链的单(甲基)丙烯酸酯单体。

5.根据权利要求1或2所述的抗静电表面保护膜的制造方法，其特征在于，

所述第二抗静电剂(K2)为碱金属盐。