[发明专利]一种高真空环境下抑制电磁冲击力的接线方法

权利要求书

1.一种高真空环境下抑制电磁冲击力的接线方法，其特征是：该方法的步骤包括：

步骤一、将真空舱外的脉冲功率电源使用m根同轴电缆向舱内负载传输脉冲电流，所述m=2N，N为正整数；

其中：每根同轴电缆的内芯均为电流流出路径，每根同轴电缆的外芯均为电流流回路径，然后执行步骤二；

步骤二、将步骤一中所述m根同轴电缆在舱外连接一号汇流盘，然后执行步骤三；

步骤三、将步骤二所述一号汇流盘与二号接线器（2）连接，实现m根同轴电缆的内外芯分离，然后执行步骤四；

步骤四、将所述二号接线器（2）与真空舱壁上的一组高压密封电极（3）连接，2N根同轴电缆的内芯和外芯通过二号接线器（2）分别与该组高压密封电极（3）中的两根贯穿于真空舱壁的穿舱导体连接，然后执行步骤五；

步骤五、判断负载线圈的输入输出两个端口之间的距离是否小于或等于d，d为正数，如果判断结果为是，则执行步骤六；如果判断结果为否，则执行步骤十；

步骤六、使用同轴电缆转接器（4）与步骤四中所述的一组高压密封电极（3）中的两根穿舱导体连接，所述同轴电缆转接器（4）将两根穿舱导体传输电流的一进和一出路径重新转换为同轴电缆传输形式，即：内芯为电流流出路径，外芯为电流流回路径；然后执行步骤七；

步骤七、在真空舱内，将另外m根同轴电缆固定好后，所述另外m根同轴电缆一端与所述同轴电缆转接器（4）连接，另一端与负载线圈的输入输出端口处的一号接线器（5）连接，以使得所述另外m根同轴电缆继续分离为内外芯独立状态，然后执行步骤八；

步骤八、在负载处，通过所述一号接线器（5）分离所述另外m根同轴电缆的内外芯，然后执行步骤九；

步骤九、将步骤八分离后的所述另外m根同轴电缆的内芯与负载线圈的输入端连接，同时将分离后的所述另外m根同轴电缆的外芯与负载线圈的输出端连接，完成一次高真空环境下抑制电磁冲击力的接线；

步骤十、将所述一组高压密封电极（3）中的两个穿舱导体与增距转接器（7）连接，然后执行步骤十一；

步骤十一、利用增距转接器（7）增加两根单芯电缆的接线的距离，然后执行步骤十二；

步骤十二、将两根单芯电缆分别连接负载的输入端和输出端，实现真空舱内脉冲电流向负载线圈的传输，完成一次高真空环境下抑制电磁冲击力的接线；

该接线方法中的一号汇流盘（1）包含两个金属导体，所述两个金属导体分别连接真空舱外的m根同轴电缆的内芯和外芯；

该接线方法中的二号接线器（2）为金属导电体，共两个金属导电体，两个金属导电体的一端分别连接一号汇流盘中的两个金属导体，其另一端分别连接所述一组高压密封电极中的两个穿舱导体。

2.根据权利要求1所述的一种高真空环境下抑制电磁冲击力的接线方法，其特征在于，该接线方法中的高压密封电极（3）安装于真空舱壁（6）上，该组高压密封电极包含两个贯穿真空舱壁（6）的穿舱导体，整个高压密封电极通过密封法兰固定于真空舱壁（6）上。

3.根据权利要求1所述的一种高真空环境下抑制电磁冲击力的接线方法，其特征在于，该接线方法中的同轴电缆转接器（4）与一号汇流盘（1）结构相同，包含两个导体，该两个导体分别连接所述一组高压密封电极（3）中的两个穿舱导体，然后两个导体再各自连接真空舱内的同轴电缆的内芯和外芯，根据真空舱内的实际同轴电缆的数量，两个导体的大小能够进行改变，以满足真空舱内的m根同轴电缆的接入。

4.根据权利要求1所述的一种高真空环境下抑制电磁冲击力的接线方法，其特征在于，该接线方法中的负载线圈输入输出端口处的一号接线器（5）包含两个导体，所述两个导体分别连接真空舱内的同轴电缆的内外芯，然后再分别与负载线圈的输入输出端连接。

5.根据权利要求1所述的一种高真空环境下抑制电磁冲击力的接线方法，其特征在于，该接线方法中的增距转接器（7）为两根L形铜柱，所述两根L形铜柱分别与所述一组高压密封电极（3）中的两根穿舱导体连接，两根L形铜柱非穿舱导体连接端相互远离放置，增加接线距离。