[发明专利]芯片温度参数校准方法、装置、设备及存储介质

说明书

本发明涉及芯片技术领域，公开了一种芯片温度参数校准方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：调整芯片的加热功率，并根据加热功率确定芯片的内部温度；在内部温度达到热平衡时，获取芯片输出的温度电信号和对应的加热功率；根据温度电信号和加热功率确定芯片的温度参数。由于本发明是通过调整芯片的加热功率，根据加热功率确定芯片的内部温度，根据在内部温度达到热平衡时获取的温度电信号和对应的加热功率确定芯片的温度参数，解决了通过传热方法测试时，大空间环境中热量分布不均造成不同芯片所处的环境温度有所差别的技术问题，提高了芯片温度参数的准确度。

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，尤其涉及一种芯片温度参数校准方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

温度是现实物理世界中一个基本的物理量，电子元器件的很多参数和温度密切相关，比如运放的失调电压、振荡器的频率、MOS管的导通电阻等，在不同的温度下，电子元器件的表现出不同的参数性能，过高或过低的温度可能会给电子元器件造成不可恢复的损伤，一般的电子元器件都要求工作在的一定的温度范围内，一般通过温度传感器监测芯片的内部温度，但是由于温度传感器的非线性、信号调理电路的失配和半导体生产工艺的偏差，往往温度电信号与芯片的内部温度呈现出非线性的关系，需要对芯片的温度参数进行校准。

现在一般采用“被动”传热的方法对芯片温度参数进行校准，即改变环境温度，热量从环境向芯片内部传递，由于大空间的环境中热量分布不均造成不同的芯片所处的环境温度有所差别导致温度参数的准确度低，因此如何提高芯片温度参数的准确度成为亟待解决的技术问题。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的在于提供了一种芯片温度参数校准方法、装置、设备及存储介质，旨在解决现有技术芯片温度参数的准确度低的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种芯片温度参数校准方法，所述方法包括以下步骤:

调整芯片的加热功率，并根据所述加热功率确定所述芯片的内部温度；

在所述内部温度达到热平衡时，获取所述芯片输出的温度电信号和对应的加热功率；

根据所述温度电信号和所述加热功率确定所述芯片的温度参数。

可选地，在所述芯片上集成有加热器件；

所述调整芯片的加热功率，并根据所述加热功率确定所述芯片的内部温度，包括：

调整所述加热器件对所述芯片的加热功率，并根据所述加热功率确定所述芯片的功耗；

根据所述功耗和预设功耗温度关系式确定所述芯片的内部温度。

可选地，所述调整所述加热器件对所述芯片的加热功率，并根据所述加热功率确定所述芯片的功耗，包括：

获取所述芯片的工作功率；

通过功率控制器调节加热电压和加热电流以调整所述加热器件对所述芯片的加热功率；

根据所述加热功率、所述工作功率和预设功耗关系式确定所述芯片的功耗；

其中，所述预设功耗关系式为：

P＝Ivdd*Uvdd+Ihot*Uhot

式中，P为功耗；Ivdd为芯片的工作电流；Uvdd为芯片的工作电压；Ihot为加热电流；Uhot为加热电压。

可选地，所述根据所述功耗和预设功耗温度关系式确定所述芯片的内部温度，包括：

获取所述芯片所处环境的环境温度；

根据所述环境温度和所述功耗通过预设功耗温度关系式确定所述芯片的内部温度；