[发明专利]一种半透明晶圆及其曝光过程加工方法

说明书

本申请涉及一种半透明晶圆及其曝光过程加工方法，其方法包括在所述晶圆底部镀一层防反射薄膜。本申请不仅能够有效减少光线在晶圆底部向上反射，以解决半透明晶圆在曝光过程中因晶圆底部反射带来的一致性较差的问题。同时，由于本申请是在晶圆底部进行镀膜，所以能够保证防反射薄膜较好的膜厚均匀性以及较好的平整度，对镀膜工艺的要求较低，工艺也较为简单。

技术领域

本申请涉及声表面波滤波器的领域，尤其是涉及一种半透明晶圆及其曝光过程底部加工方法。

背景技术

声表面波器件应用于通信电台、卫星通信和雷达指引等高科技技术领域，目前军用和民用声表面波滤波器芯片对一致性要求越来越高。

可以了解的是，声表面波滤波器芯片工艺流片过程中，透明或半透明晶圆在曝光过程中，曝光光源穿透晶圆后在晶圆底部发生反射，反射的光会造成光刻胶曝光不均匀，以影响芯片制作中线条的均匀性，进而造成产品不合格或一致性较差。

为此，现有技术中通常在匀胶之前会在晶圆正面涂覆防反射层，涂覆防反射层后进行匀胶以一定程度上改善曝光反射问题。

但是，由于防反射层涂覆在晶圆正面，会对匀胶工序的胶膜均匀性造成影响，这就要求在晶圆正面进行的涂覆工艺十分精细，进而增加了工艺复杂性。

发明内容

为了在改善曝光反射问题的同时简化工艺，本申请提供一种半透明晶圆及其曝光过程加工方法。

第一方面，本申请提供一种半透明晶圆曝光过程加工方法，采用如下的技术方案：

一种半透明晶圆曝光过程加工方法，包括在所述晶圆底部镀一层防反射薄膜。

通过采用上述技术方案，不仅能够有效减少光线在晶圆底部向上反射，以解决半透明晶圆在曝光过程中因晶圆底部反射带来的一致性较差的问题。同时，由于本申请是在晶圆底部进行镀膜，所以能够保证防反射薄膜较好的膜厚均匀性以及较好的平整度，对镀膜工艺的要求较低，工艺也较为简单。

可选的，所述防反射薄膜不与特定化学药品发生化学反应，特定化学药品为丙酮、无水乙醇、四甲基氢氧化铵水溶液和光刻胶。

通过采用上述技术方案，由于在半透明晶圆的整个加工过程中需要使用多种化学药品，故为了保证防反射薄膜的稳定性，需要防反射薄膜具有一定的惰性。

可选的，所述防反射薄膜由厚度为nm级时呈现灰黑色的金属材料制成。

通过采用上述技术方案，防反射薄膜能够有效吸收穿透晶圆的光线，防止光线在晶圆底部向各个方向反射。

可选的，所述金属材料为铬。

可选的，所述防反射薄膜的厚度为5-8nm。

通过采用上述技术方案，5nm厚度金属铬膜层使白色半透明晶圆呈现黑色，其能够有效吸收穿透晶圆的光线，防止光线在晶圆底部向各个方向反射，从而改善曝光均匀性。

可选的，所述防反射薄膜通过电子束蒸镀技术或溅射镀膜技术制成。

第二方面，本申请提供一种半透明晶圆，采用如下的技术方案：

一种半透明晶圆，包括晶圆本体，所述晶圆本体的底部镀有一层防反射薄膜。

可选的，所述防反射薄膜不与特定化学药品发生化学反应，特定化学药品为丙酮、无水乙醇、四甲基氢氧化铵水溶液和光刻胶。

可选的，所述防反射薄膜由金属铬制成。

可选的，所述防反射薄膜的厚度为5-8nm。

综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：