[发明专利]发光器件和显示装置在审
申请号: | 202210084773.7 | 申请日: | 2022-01-25 |
公开(公告)号: | CN114122217A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 北京芯海视界三维科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100055 北京市西城区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 显示装置 | ||
1.一种发光器件,其特征在于,包括:发光层和光转换层;所述发光层至少包括两个发光单元,所述光转换层至少包括一像素单元,所述两个发光单元设置有共用电极;
所述共用电极的部分电极结构设置于所述发光层、部分电极结构设置于所述光转换层中所述像素单元的至少一侧。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述共用电极的设置于光转换层中的电极结构包括光隔离材料。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述像素单元在所述发光器件的出光方向上与所述两个发光单元中的一个对应设置。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述两个发光单元相邻。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述共用电极的部分电极结构设置于所述光转换层中所述像素单元的至少一侧,包括:所述共用电极的部分电极结构设置于所述光转换层中像素单元的垂直于出光面的至少一侧。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述光转换层还包括与所述像素单元相邻的另一像素单元,所述共用电极的部分电极结构设置于所述光转换层中所述像素单元的至少一侧,包括:所述共用电极的部分电极结构设置于所述光转换层中两个像素单元之间。
7.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述共用电极的设置于光转换层中的电极结构的截面形状为预设形状。
8.根据权利要求7所述的发光器件,其特征在于,所述预设形状为正梯形或倒梯形。
9.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述两个发光单元中至少之一还包括非共用电极,所述非共用电极的部分或全部电极结构设置于所述发光层。
10.根据权利要求1至9任一所述的发光器件,其特征在于,至少一个电极的设置于发光层中的电极结构至少部分设置于相应发光单元的内部,或者,至少一个电极的设置于发光层中的电极结构全部设置于相应发光单元的外表。
11.根据权利要求1至9任一所述的发光器件,其特征在于,至少一个电极的设置于发光层中的电极结构覆盖以下位置至少之一:
发光单元的背光侧;发光单元的侧面;发光单元的出光侧。
12.根据权利要求11所述的发光器件,其特征在于,至少一个电极的设置于发光层中的电极结构包括光隔离材料。
13.根据权利要求2或12所述的发光器件,其特征在于,所述光隔离材料包括以下至少之一:
光反射材料;光吸收材料。
14.根据权利要求11所述的发光器件,其特征在于,至少一个发光单元包括:依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层,所述第一半导体层被构造为引出第一电极,所述第二半导体层被构造为引出第二电极。
15.根据权利要求14所述的发光器件,其特征在于,所述共用电极包括所述第一电极或所述第二电极。
16.根据权利要求14所述的发光器件,其特征在于,以下位置至少之一设置有绝缘材料:
所述第一电极与所述第一半导体层之间;
所述第二电极与所述第二半导体层之间;
所述第一电极与所述第二半导体层之间;
所述第二电极与所述第一半导体层之间;
所述第一电极与所述第二电极之间。
17.根据权利要求14所述的发光器件,其特征在于,至少一个发光单元还包括:由所述第一半导体层下陷到所述第二半导体层的下陷结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京芯海视界三维科技有限公司,未经北京芯海视界三维科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210084773.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。