[发明专利]一种LLC电路的副边同步整流方法

说明书

本发明提供了LLC电路的副边同步整流方法。所述方法包括对变压器副边电流/原边电流进行采样；对采样电流进行过零比较；若采样的变压器副边电流大于0，则获取初级全桥电路的MOSFET的开通与关断状态，根据预设规则对LLC电路的次级整流电路的MOSFET进行开通和/或关断；若采样的变压器副边电流不大于0，则对LLC电路的次级整流电路的MOSFET进行关断。以此方式，同步整流方法实现方式简单，便于控制，减少了硬件电路，降低了整体成本。

技术领域

本公开涉及电力电子领域，尤其涉及LLC电路副边同步整流技术领域。

背景技术

目前，LLC电路中的开关频率越来越高，开关频率的增高带来的优点如下：①电路中的储能器件(电感、变压器、电容等)体积相应的减小。②整个电路的功率密度进一步增大。

在LLC副边电流较大的场合，使用同步整流，可以减小副边开关管的导通损耗，从而提升整体效率。现有技术中，一般通过硬件电路实现同步整流，除了需要对副边电流进行检测以外，还需要过零比较、逻辑电路等辅助硬件电路，从而控制同步整流驱动，实现方法复杂，增加了器件成本。

发明内容

本公开提供了一种LLC电路的副边同步整流方法。

所述LLC电路包括初级、变压器、次级；初级为全桥电路，包括：直流输入源，第一上MOSFET（Q2A）、第一下MOSFET（Q2B）组成的第一桥臂开关管，第二下MOSFET（Q3A）、第二上MOSFET（Q3B）组成的第二桥臂开关管，由谐振电容（Cr）、谐振电感（Lr）、励磁电感（Lm）组成的LLC谐振槽；所述变压器（T₀）的副边设有中心抽头；次级为由第三上MOSFET（Q4A）、第三下MOSFET（Q5A）、输出滤波电容（C_o）组成的整流电路；其中，串联连接的第一上MOSFET（Q2A）和第一下MOSFET（Q2B）与串联连接的第二下MOSFET（Q3A）和第二上MOSFET（Q3B）并联连接在第一电容（C1）的两端；第一上MOSFET（Q2A）和第一下MOSFET（Q2B）的共同连接点与谐振电感（Lr）的第一端连接；第二下MOSFET（Q3A）、第二上MOSFET（Q3B）的共同连接点与谐振电容（Cr）的第一端连接；励磁电感（Lm）的两端分别连接谐振电感（Lr）的第二端和谐振电容（Cr）的第二端，且励磁电感（Lm）的两端连接变压器（T₀）原边的两端；变压器（T₀）副边的第一端连接第三上MOSFET（Q4A）的漏极，变压器（T₀）副边的第二端连接第三下MOSFET（Q5A）的漏极；第三上MOSFET（Q4A）的源极与第三下MOSFET（Q5A）的源极连接；输出滤波电容（C_o）的两端分别连接第三上MOSFET（Q4A）的源极与变压器（T₀）副边的中心抽头。

本发明提供的一种LLC电路的副边同步整流方法。该方法包括对变压器副边电流进行采样；对采样电流进行过零比较；若采样的变压器副边电流大于0，则获取初级全桥电路的MOSFET的开通与关断状态，根据预设规则对LLC电路的次级整流电路的MOSFET进行开通和/或关断；若采样的变压器副边电流不大于0，则对LLC电路的次级整流电路的MOSFET进行关断。

如上所述的方面和任一可能的实现方式，进一步提供一种实现方式，若采样的变压器副边电流大于0，则判断LLC电路的初级的工作状态；若采样的变压器副边电流大于0，且Q2A、Q3A为开通状态，则设定Q4A开通、Q5A关断；若采样的变压器副边电流大于0，且Q2B、Q3B为开通状态，则设定Q4A关断、Q5A开通；若为其他情况，则设定Q4A、Q5A关断。

如上所述的方面和任一可能的实现方式，进一步提供一种实现方式，MOSFET的开通、关断状态是由其栅源极电压确定的，若其栅源极电压达到开启电压，则为开通状态，若其栅源极电压为关闭电压，则为关断状态。