[发明专利]一种碳酸钴制备钴粉的方法

说明书

本发明提供一种碳酸钴制备钴粉的方法,包括将碳酸钴和氢气在还原温度下反应制得钴粉，然后继续通入氢气，冷却至常温。其中，所述还原温度与钴粉中晶型的含量具有对应关系。本发明的制备方法具有工艺简单和控制晶型比例相对精确的优点。

技术领域

本发明涉及氢还原制备钴粉的领域，具体涉及一种碳酸钴氢还原制备钴粉的方法。

背景技术

钴因其独特的化学性质，常作为重要组成相被应用于硬质合金、金刚石工具和磁性材料中。钴属于同素异构多晶型金属，在特定条件下可发生晶型转变。研究表明，钴具有两种稳定晶型：高温状态下处于稳定状态的面心立方结构；室温下处于稳定状态的密排六方结构。纯钴的相转变温度为417℃。面心立方钴拥有12个滑移系，具有更好的塑性，可以使硬质合金在应对外力冲击时表现出更好的韧性。密排六方钴仅有3个滑移系，表现出更多的脆性，有利于球磨时钴粉与碳化钨之间的破碎与混合。为了即满足球磨需要，又不影响合金性能，在钴粉制备时控制晶型的相对含量显得尤为重要，而目前的方法中仅有定性的研究，很难将最终产物的相成分比例控制在较小的范围内。

专利申请号为CN101653830B公开了一种氢还原制备密排六方结构(HCP)或面心立方结构(FCC)超细钴粉的方法，该方法采用高压氢还原和高温固相氢还原联用，控制二次氢还原温度得到密排六方结构或面心立方结构钴粉的方法，制备工艺较为复杂，且也没有公开可以得到密排六方结构和面心立方结构的比例在较窄范围内的技术方案。

为了解决上述问题，我们一直在寻求一种理想的技术解决方案。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的不足，从而提供一种碳酸钴制备钴粉的方法，该方法可以将钴粉中晶型比例控制在较小范围内。

为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案为：

一种碳酸钴制备钴粉的方法,将碳酸钴粉末和氢气在还原温度T下进行还原反应制得钴粉，然后冷却至常温；其中，所述还原温度T与钴粉中面心立方相的含量X对应关系如下表中所示, 钴粉中密排六方相的含量为Y,Y=1-X：