[发明专利]提高磁性光子晶体反射光强度的方法及应用

权利要求书

1.一种提高磁性光子晶体反射光强度的方法，其特征在于：将可组装为所述磁性光子晶体的单分散基元粒子采用过氧化氢进行处理，所述磁性光子晶体的单分散基元粒子包括磁性内核和包裹在所述磁性内核外的外壳，所述外壳为可渗透过氧化氢的壳层；通过过氧化氢氧化处理后使得深色磁性内核的颜色变浅，达到提高磁性光子晶体反射光强度的目的。

2.根据权利要求1所述的提高磁性光子晶体反射光强度的方法，其特征在于：所述磁性内核至少含有铁、钴、镍中的任意一种元素。

3.根据权利要求1所述的提高磁性光子晶体反射光强度的方法，其特征在于：所述磁性光子晶体的基元粒子的粒径为60~300nm。

4.根据权利要求1所述的提高磁性光子晶体反射光强度的方法，其特征在于：所述采用过氧化氢进行处理的具体步骤为：向含有基元粒子的分散液中加入过氧化氢，或直接将基元粒子分散在过氧化氢溶液中，进行反应，清洗后即得到处理后的基元粒子。

5.根据权利要求4所述的提高磁性光子晶体反射光强度的方法，其特征在于：所述分散液的溶剂为可溶解过氧化氢的溶剂。

6.根据权利要求4所述的提高磁性光子晶体反射光强度的方法，其特征在于：过氧化氢与基元粒子的体积质量比为不小于0.01ml/g。

7.如权利要求1-6中任一项所述的提高磁性光子晶体反射光强度的方法在传感、显示、防伪或光学器件增强领域的应用。