[发明专利]一种适合低温快烧的瓷质抛釉砖抛釉釉料及其制备方法

说明书

本发明提供一种适合低温快烧的瓷质抛釉砖抛釉釉料及其制备方法，涉及建材技术领域，所述适合低温快烧的瓷质抛釉砖抛釉釉料按重量百分比包括下列组分：钾长石3‑5％，钠长石30‑32％，白云石8‑10％，烧滑石10‑12％，氧化锌4‑5％，碳酸钡11％，硅灰石3‑4％，石英5％，方解石9％，氧化铝0‑1％，高岭土8％，煅烧土2‑4％。本发明相比现有常规配方钾长石减少，钠长石增多，使得釉料的试熔点变低，可以适应更低的烧成温度，方解石增多，可以最大程度的降低釉料的高温粘度，降低釉料熔融反应时的表面张力，从而比常规釉料提前熔融液相后也可以排除坯体和釉泵中的气泡，有限的控制了因排气不充分造成的针孔熔洞，也有效的解决了抛光后毛孔粗大的问题，进步性显著。

技术领域

本发明涉及建材技术领域，尤其涉及一种适合低温快烧的瓷质抛釉砖抛釉釉料及其制备方法。

背景技术

全抛釉瓷砖属于釉面砖。全抛釉是一种可以在釉面进行抛光工序的一种特殊配方釉，全抛釉是釉下彩，其坯体工艺类似于一般的釉面地砖，主要不同是它在施完底釉后就印花，再施一层透明的抛釉，烧制后把抛釉抛去一部份，保留一部份抛釉，全抛砖的主要目标是代替抛光砖，但其纹理和花色要比抛光砖丰富的多。

但是由于近今年天然气，煤炭，电等能源价格飙升，呈持续增长的架势，导致众多陶瓷企业能耗成本越来越高，竞争激烈，生存困难，尤其是生产瓷质抛釉砖的厂家，更是难以降低成本，因为抛釉砖相较于仿古砖釉层更厚，其对釉料的要求更高，烧成中釉面缺陷的控制也更难控制，窑炉一旦烧快，会导致坯体和釉层中的气体排放不充分，造成釉面熔洞或针孔，还会导致抛光后毛孔粗大，防污不合格，所以目前来说烧制抛釉砖的窑炉烧成周期都偏长，一般在40-50分钟，从而导致抛釉砖成本高昂，因此，亟需一种适合低温快烧的瓷质抛釉砖抛釉釉料及其制备方法来降低成本。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种适合低温快烧的瓷质抛釉砖抛釉釉料及其制备方法。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：一种适合低温快烧的瓷质抛釉砖抛釉釉料，所述适合低温快烧的瓷质抛釉砖抛釉釉料按重量百分比包括下列组分：

钾长石3-5％，钠长石30-32％，白云石8-10％，烧滑石10-12％，氧化锌4-5％，碳酸钡11％，硅灰石3-4％，石英5％，方解石9％，氧化铝0-1％，高岭土8％，煅烧土2-4％。

一种适合低温快烧的瓷质抛釉砖抛釉釉料的制备方法，包括以下步骤：

S1，球磨，首先称取适量的钾长石、钠长石、白云石、烧滑石、氧化锌、碳酸钡、硅灰石、石英、方解石、氧化铝、高岭土和煅烧土，再将这些原料加入球釉机中进行球磨；

S2，助剂添加，随后添加助剂到球釉机内，随后继续球磨6-8h，得到颗粒状原料；

S3，筛选，然后将原料过325目筛，筛余30-50％，若不满足筛余条件，则继续重复S2步骤继续球磨，直至符合筛余30-50％的条件，得到釉浆；

S4，除铁，随后将釉浆过振动筛，随后再用除铁机进行除铁，得到除铁后的釉浆；

S5，施釉，随后采用钟罩淋釉的方式在素坯表面施釉，流速控制在27-29s，施釉参数要求淋400×400的测釉盘55-58克，从而使釉层更薄，达到快烧的效果。

为了提高球磨效果，本发明改进有，在S1步骤中，所述球釉机的球磨时间为24-30h。

为了正常加工，本发明改进有，在S2步骤中，所述助剂为甲基、三聚和水复配而成，且复配比例为0.1:0.3:10。

为了提高细腻度，本发明改进有，在S4步骤中，所述振动筛为200目振动筛。

为了提高烧制速度，本发明改进有，在S4步骤中，所述釉浆比重应该控制为1.87-1.90g/ml。