[发明专利]应力传感器和用于求取梯度补偿的机械应力分量的方法在审

申请号：	202210065951.1	申请日：	2022-01-20
公开（公告）号：	CN114812877A	公开（公告）日：	2022-07-29
发明（设计）人：	M·莫茨	申请（专利权）人：	英飞凌科技股份有限公司
主分类号：	G01L1/18	分类号：	G01L1/18;G01L9/06
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	王茂华;闫昊
地址：	德国诺伊***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	应力传感器用于求取梯度补偿机械分量方法
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【权利要求书】：

1.一种基于晶体管的应力传感器(10)，具有：

半导体衬底(20)，具有第一MOS晶体管装置(11)和第二MOS晶体管装置(12)，

其中所述第一MOS晶体管装置(11)具有带有第一源极漏极沟道区(23)的第一MOS晶体管(1)和带有第二源极漏极沟道区(33)的第二MOS晶体管(2)，其中所述第一MOS晶体管(1)和所述第二MOS晶体管(2)相互取向成使得所述第一源极漏极沟道区(23)中的电流流动方向(24)与所述第二源极漏极沟道区(33)中的电流流动方向(34)相反，并且

其中所述第二MOS晶体管装置(12)具有带有第三源极漏极沟道区(43)的第三MOS晶体管(3)和带有第四源极漏极沟道区(53)的第四MOS晶体管(4)，其中所述第三MOS晶体管(3)和所述第四MOS晶体管(4)相互取向成使得所述第三源极漏极沟道区(43)中的电流流动方向(44)与所述第四源极漏极沟道区(53)中的电流流动方向(54)相反，

其中所述基于晶体管的应力传感器(10)提供梯度补偿的输出信号，所述输出信号用于确定作用在所述半导体衬底(20)上的至少一个机械应力分量。

2.根据权利要求1所述的基于晶体管的应力传感器(10)，

其中在所述第一源极漏极沟道区(23)中的电流流动方向(24)以相对于所述半导体衬底(20)的初级平面的法线的第一角度(Φ₁)延伸，并且

其中在所述第三源极漏极沟道区(43)中的电流流动方向(44)以相对于所述半导体衬底(20)的初级平面的法线的第二角度(Φ₂)延伸，

其中所述第一角度(Φ₁)和所述第二角度(Φ₂)彼此垂直。

3.根据权利要求2所述的基于晶体管的应力传感器(10)，

其中所述第一角度(Φ₁)是+45°，并且其中所述第二角度(Φ₂)是-45°，并且

其中所述基于晶体管的应力传感器(10)被设计成确定作用在所述半导体衬底(20)上的机械剪应力分量(σ_XY、σ_YZ、σ_XZ)。

4.根据权利要求3所述的基于晶体管的应力传感器(10)，

其中所述第一MOS晶体管装置(11)的MOS晶体管(1、2)和所述第二MOS晶体管装置(12)的MOS晶体管(3、4)分别是n沟道型。

5.根据权利要求2所述的基于晶体管的应力传感器(10)，

其中所述第一角度(Φ₁)是90°，并且其中所述第二角度(Φ₂)是0°，并且