[发明专利]发光器件和包括该发光器件的电子设备在审
| 申请号： | 202210064829.2 | 申请日： | 2022-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN114824109A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李在庸;尹锡奎;姜晶玟;金敬植;金炯弼;柳在鎭;赵根昱 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 程月;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 包括 电子设备 | ||
1.一种发光器件，所述发光器件包括：
第一电极；
第二电极，面对所述第一电极；以及
中间层，在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发射层、在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区域以及在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区域，
其中，所述空穴传输区域包括依次布置在所述第一电极与所述发射层之间的空穴注入层和空穴传输层，
所述第一电极包括铝、包括铝的合金或它们的任何组合，
所述空穴注入层由第一无机材料组成，所述第一无机材料包括In2O3、GeO2、SnO2、MoOx、WOx、CoOy、CuOy、NiOy或它们的任何组合，其中，2.5≤x≤3.0，0.5≤y≤2.0，
所述第一无机材料的逸出功的绝对值大于或等于所述空穴传输层的HOMO能级的绝对值，并且
所述空穴传输区域不包括p掺杂剂。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极由铝、包括铝的合金或它们的任何组合组成。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极包括AlNiLa、AlNd、AlNiGeLa、AlCoGeLa或它们的任何组合。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一无机材料的所述逸出功的所述绝对值为5.15eV或更大。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一无机材料包括：In2O3；WO3；In2O3、GeO2和SnO2的混合物；其中将SnO2、MoO3和WO3中的至少一种以5wt％或更小的浓度与In2O3掺杂的混合物；或它们的任何组合。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极和所述空穴注入层被共同地干法蚀刻。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述空穴传输层的所述HOMO能级的所述绝对值为5.15eV或更小。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
