[发明专利]一种太阳能电池基底制绒的方法在审

专利信息
申请号: 202210058794.1 申请日: 2022-01-17
公开(公告)号: CN114420854A 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 寿春晖;吴铭;孙靖淞;杨熹;叶继春;闫宝杰;黄绵吉;盛江 申请(专利权)人: 浙江浙能技术研究院有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44;B82Y40/00
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 代理人: 张羽振
地址: 311121 浙江省杭州市余*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 基底 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池基底制绒的方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1、将浓度为40%~50%的HF和去离子水混合,制备得到腐蚀液;将待制绒的干净玻璃放入腐蚀液中进行腐蚀,通过控制腐蚀时长,来获得设定尺寸的具备纳米尺度微结构的绒面;

步骤2、调节Ar浓度、沉积压强和溅射功率,利用磁控溅射镀膜设备在步骤1所得带有绒面的干净玻璃表面生长透明基底;

步骤3、采用热蒸镀法在透明基底上制备空穴传输层;

步骤4、在空穴传输层上通过旋涂法制备钙钛矿薄膜,形成共型钙钛矿层;

步骤5、采用热蒸镀法在共型钙钛矿层上制备电极层。

2.根据权利要求1所述太阳能电池基底制绒的方法,其特征在于:步骤1中控制HF和去离子水的体积比为(1:4)~(1:5)。

3.根据权利要求1所述太阳能电池基底制绒的方法,其特征在于:步骤1中控制腐蚀时长在3~5min内。

4.根据权利要求1所述太阳能电池基底制绒的方法,其特征在于:步骤2中透明基底为IZO,IZO薄膜沉积时,将磁控溅射工作功率设置为80W,沉积压强小于0.1Pa。

5.根据权利要求1所述太阳能电池基底制绒的方法,其特征在于:步骤3中空穴传输层为C60/BCP复合层。

6.根据权利要求1所述太阳能电池基底制绒的方法,其特征在于:步骤3中采用热蒸镀法制备空穴传输层,以及步骤5中采用热蒸镀法制备电极层时,蒸镀时的真空度低于4*10-6Pa,蒸镀速率为

7.根据权利要求1所述太阳能电池基底制绒的方法,其特征在于:步骤5中电极层为Ag电极。

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