[发明专利]一种多激励输出的全桥激励源和控制方法

权利要求书

1.一种多激励输出的全桥激励源，其特征在于，包括：

调制电源；

全桥，由第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件和第四开关元件连接组成，所述全桥连接所述调制电源，所述全桥的桥臂和所述激励源的输出端之间均连接有滤波元件，多个所述滤波元件分别通过连接多个开关来控制是否接入电路；

继电器控制模块，用于控制所述多个开关的开闭；

闭环控制模块，通过PWM调制模块控制所述激励源的输出；

通过改变所述开关的开闭和PWM的输出的不同组合获取不同的激励输出。

2.如权利要求1所述的多激励输出的全桥激励源，其特征在于，所述滤波元件为电容和/或电感。

3.如权利要求1所述的多激励输出的全桥激励源，其特征在于，所述第一开关元件和第三开关元件连接第一电容和第二电容，所述第一电容和第二电容并联连接；第二开关元件和第四开关元件连接第三电容和第四电容，所述第三电容和第四电容并联连接；第三开关元件和第四开关元件连接第一电感；第一开关元件和第二开关元件连接第二电感。

4.如权利要求3所述的多激励输出的全桥激励源，其特征在于，所述多个开关包括第一开关、第二开关、第三开关和第四开关，所述第一开关和所述第一电感并联连接后连接激励输出第一端，所述第二开关和所述第二电感并联连接激励输出第二端，所述第二电容和第三电容连接后再连接第三开关，所述第一电容和第四电容连接后再连接第四开关，所述第三开关连接激励输出第一端，所述第四开关连接激励输出第二端。

5.如权利要求1-4任一项所述的多激励输出的全桥激励源，其特征在于，所述第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件和第四开关元件为碳化硅MOSFET。

6.如权利要求1-4任一项所述的多激励输出的全桥激励源，其特征在于，所述闭环控制模块预设的基波信号为正弦波、直流或0。

7.如权利要求6所述的多激励输出的全桥激励源，其特征在于，所述闭环控制模块通过PR控制策略或PI控制策略通过PWM调制模块控制所述激励源的输出。

8.一种多激励输出的全桥激励源的控制方法，其特征在于，采用如权利要求7所述的多激励输出的全桥激励源，通过控制所述第一开关、第二开关、第三开关和第四开关的通断，以及选用闭环控制模块的PR控制策略或PI控制策略，控制所述全桥激励源输出不同波形。