[发明专利]一种单晶硅片切割方法在审
| 申请号： | 202210055094.7 | 申请日： | 2022-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN114347281A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 王冰;潘连胜;商剑;何翠翠;秦朗;齐锦刚;赵作福;刘亮 | 申请（专利权）人： | 锦州神工半导体股份有限公司;辽宁工业大学 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;C10M173/02 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人： | 王雪娇 |
| 地址： | 121001 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 切割 方法 | ||
1.一种单晶硅片切割方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、将硅锭固定在超声振动辅助锯切加工设备的载物台上；
步骤二、设定切削参数；
其中，所述切削参数包括：载物台的运动速度、切割机主轴转速、锯片进给速度、切削深度、超声振动频率和振幅；
步骤三、开切削液，对所述硅锭进行切削加工；
其中，所述切削液的组成成分为：
10％～30％Al2O3、0.5％～1.5％溴化二甲基苄基十二烷基铵、1％～3％柠檬酸，余量为水；
步骤四、将切削得到的单晶硅片进行清洗后得到成品。
2.根据权利要求1所述的单晶硅片切割方法，其特征在于，在所述步骤一之前，还包括：对所述硅锭进行清洗。
3.根据权利要求2所述的单晶硅片切割方法，其特征在于，设定所述载物台的运动速度为1000～1800μm/min。
4.根据权利要求3所述的单晶硅片切割方法，其特征在于，设定所述切割机主轴转速为：3000～10000r/min。
5.根据权利要求4所述的单晶硅片切割方法，其特征在于，设定所述锯片进给速度为：50～300mm/min。
6.根据权利要求4或5所述的单晶硅片切割方法，其特征在于，设定所述切削深度为：20～80μm。
7.根据权利要求6所述的单晶硅片切割方法，其特征在于，设定所述超声振动频率为20～50kHz。
8.根据权利要求7所述的单晶硅片切割方法，其特征在于，设定所述超声振动振幅为2～7μm。
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