[发明专利]一种晶圆夹持装置及方法在审

专利信息
申请号: 202210053166.4 申请日: 2022-01-18
公开(公告)号: CN114351223A 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 谷德鑫 申请(专利权)人: 沈阳超夷微电子设备有限公司
主分类号: C25D17/06 分类号: C25D17/06;C25D7/12
代理公司: 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 代理人: 张晨
地址: 110000 辽宁省沈阳市浑*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 夹持 装置 方法
【说明书】:

一种晶圆夹持装置,下夹盘水平连杆与下夹盘之间通过下夹盘垂直连杆连接,下夹盘垂直连杆穿过上夹盘;气缸杆固定夹设置在气缸杆上端;气缸杆内带有气道,上夹盘能升降,气缸杆与电机轴固定,气缸筒随着进气量的增加能上下移动,上夹盘与气缸筒连接,气缸筒上设置有排气口。一种晶圆夹持装置的方法,机械手将晶圆放置到下夹盘圆弧内,然后气缸杆的气道开始通入压缩空气,晶圆放在下夹盘的凹槽内后,机械手缩回,启动电磁阀通入压缩空气,驱动上夹盘落下;此后电机可以带动晶圆旋转,转速在10~200rpm,完成相应的电镀工艺。本发明的优点:本发明所述的晶圆夹持装置及方法,实现了使用单一通路即可实现夹盘对晶圆的夹持与松开,提高操作精度,提升加工效率。

技术领域

本发明涉及晶圆单片湿法处理领域,特别涉及一种晶圆夹持装置及方法。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆国内,晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。

在半导体芯片制造过程中,电镀是一种常用的在晶圆上成膜的方法。尤其在先进封装技术中,通常采用电镀在晶圆上形成铜柱、焊点等特征,原因在于电镀具有工艺简单、成本低等优点。

在电镀的过程中,需要将晶圆表面器件全部接触到电镀液,并缓慢旋转,这时需要将晶圆固定在电镀盘上并随之旋转。只有晶圆的边缘和背面可以夹持和接触,需要使用夹持的方式来将晶圆固定。

发明内容

本发明的目的是使用单一通路即可实现夹盘对晶圆的夹持与松开,特提供了一种晶圆夹持装置及方法。

本发明提供了一种晶圆夹持装置,其特征在于:所述的晶圆夹持装置,包括下夹盘1,下夹盘垂直连杆2,上夹盘3,下夹盘水平连杆4,气缸筒5,电机连接筒6,电机7,气缸杆固定夹8,气道9,排气口10,气缸杆11;

其中:下夹盘水平连杆4与下夹盘1之间通过下夹盘垂直连杆2连接,下夹盘垂直连杆2穿过上夹盘3;电机连接筒6与电机7连接,气缸杆固定夹8设置在气缸杆11上端;

下夹盘1内带有用于放置晶圆12的圆弧,气缸杆11内带有气道9,上夹盘3能升降,气缸杆11与电机7轴固定,气缸筒5随着进气量的增加能上下移动,电机7能带动晶圆12旋转,上夹盘3与气缸筒5连接,气缸筒5上设置有排气口10。

所述的下夹盘垂直连杆2为2或4根。

所述的上夹盘3与下夹盘垂直连杆2之间设置有导向滑道装置。

一种晶圆夹持装置的方法,其特征在于:具体如下,机械手将晶圆12放置到下夹盘1圆弧内,然后气缸杆11的气道9开始通入压缩空气,晶圆12放在下夹盘1的凹槽内后,机械手缩回,启动电磁阀通入压缩空气,驱动上夹盘3落下,气缸杆11与电机7轴固定,气缸筒5随着进气量的增加缓缓下降,速度2~50mm每秒,直到上夹盘3落下将下方的晶圆夹住,夹紧力大小由气压决定,气压范围再0.05~0.5MPa可调,气缸筒5不再移动;

此后电机7可以带动晶圆旋转,转速在10~200rpm,完成相应的电镀工艺;工艺完成后,工艺完成由时间设定,到时间后自动判定为完成,气道9末端开始通真空,将气缸杆11下方空间内的气体抽出,同时上夹盘3会随着空间的减小而上升,直到气缸杆11底面与上夹盘3相接触,机械手动作由工控机软件控制完成机械手伸入缝隙将晶圆取出,完成工艺过程。

本发明的优点:

本发明所述的晶圆夹持装置及方法,实现了使用单一通路即可实现夹盘对晶圆的夹持与松开,提高操作精度,提升加工效率。

附图说明

下面结合附图及实施方式对本发明作进一步详细的说明:

图1为晶圆夹持装置结构示意图;

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