[发明专利]清洁极紫外线遮罩的系统和方法

说明书

一种清洁极紫外线遮罩的系统和方法，极紫外(EUV)微影系统包含扫描器。微影系统用扫描器中的倍缩光罩执行EUV微影制程。扫描器包含倍缩光罩储存腔室、倍缩光罩背侧检查腔室及倍缩光罩清洁腔室。倍缩光罩清洁腔室对扫描器中的倍缩光罩的背侧的碎屑进行清洁。

技术领域

本揭露关于一种清洁极紫外线遮罩的系统和方法。

背景技术

对提高包含智能手机、平板计算机、桌上计算机、膝上型计算机及许多其他类型电子装置的电子装置的计算能力的需求一直存在。集成电路为这些电子装置提供计算能力。提高集成电路的计算能力的一种方法为增加半导体基板的给定面积可以包含的晶体管及其他集成电路特征的数目。

集成电路中的特征部分在微影术的帮助下产生。传统微影技术包含产生遮罩，该遮罩描绘将在集成电路晶粒上形成的特征图案的轮廓。微影光源通过遮罩辐照集成电路晶粒。可以经由集成电路晶粒的微影术产生的特征的大小在下端上部分地受到由微影光源产生的光的波长的限制。较小波长的光可以产生较小的特征大小。

极紫外(Extreme ultraviolet，EUV)光归因于EUV光的相对短的波长而用于产生特别小的特征。例如，EUV光通常通过用激光束辐照选择的材料的液滴来产生。来自激光束的能量使液滴进入电浆状态。在电浆状态下，液滴发射EUV光。EUV光朝向具有椭圆或抛物线表面的收集器行进。收集器将EUV光反射至扫描器。扫描器经由倍缩光罩用EUV光照射靶材。然而，归因于将自倍缩光罩转移至集成电路的特征大小很小，若即使极小的粒子或碎屑落在倍缩光罩的面上，则亦可能破坏微影制程，且所得的集成电路将不为功能性的。

发明内容

根据本揭露的一些实施例中，一种清洁极紫外线遮罩的系统，包括：一极紫外扫描器；一卡盘，处于该扫描器中且用以在一极紫外微影制程期间固持一倍缩光罩；一倍缩光罩储存器，处于该扫描器中且用以储存该倍缩光罩；及一倍缩光罩清洁系统，处于该扫描器中且耦接至该倍缩光罩储存器。

根据本揭露的一些实施例中，一种清洁极紫外线遮罩的方法，包括以下步骤。通过将极紫外光引导至一极紫外扫描器中的一倍缩光罩上来执行一极紫外微影制程；在执行该极紫外微影制程之后，将该倍缩光罩储存在该极紫外扫描器中的一倍缩光罩储存器中；在将该倍缩光罩储存在该倍缩光罩储存器中之后，用该极紫外扫描器中的一倍缩光罩背侧检查模块检查该倍缩光罩的一背侧；及在检查该倍缩光罩的该背侧之后，用该极紫外扫描器中的一倍缩光罩清洁系统清洁该倍缩光罩的该背侧。

根据本揭露的一些实施例中，一种清洁极紫外线遮罩的方法，包括以下步骤。将一倍缩光罩储存在一极紫外微影系统的一扫描器中的一倍缩光罩储存器中。将该倍缩光罩自该倍缩光罩储存器转移至该扫描器中的一背侧检查模块。用一倍缩光罩背侧检查模块检查该倍缩光罩的一背侧。将该倍缩光罩自该倍缩光罩背侧检查模块转移至该扫描器中的一倍缩光罩清洁系统的一真空腔室中。在该倍缩光罩清洁系统的该真空腔室中清洁该倍缩光罩。

附图说明

当结合随附附图阅读时，根据以下详细描述最佳地理解本揭露的态样。应注意，根据行业中的标准实践，未按比例绘制各种特征。实务上，为论述清楚起见，各种特征的尺寸可以任意增加或减小。

图1为根据一些实施例的EUV微影系统的方块图；

图2A至图2D为根据一些实施例的倍缩光罩清洁系统的图示；

图3为根据一些实施例的倍缩光罩背侧检查模块的图示；

图4为根据一些实施例的EUV舱的图示；

图5为根据一些实施例的EUV倍缩光罩的图示；

图6为根据一些实施例的倍缩光罩储存器、倍缩光罩背侧检查模块及倍缩光罩清洁系统的图示；

图7为根据一些实施例的用于操作EUV微影系统的方法的流程图；