[发明专利]一种二维原子层材料应变场控制方法

权利要求书

1.一种二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在透明基底(4)上制备纳米吸光层(3)和二氧化硅纳米薄膜(2)；

步骤2：把二维原子层材料(1)转移至所述二氧化硅纳米薄膜(2)表面；

步骤3：令聚焦激光束穿过所述透明基底辐照所述纳米吸光层(3)，从而获得二氧化硅纳米鼓包，同时对二维原子层材料施加局域应变；

步骤4：通过控制聚焦激光束的移动轨迹、能量密度来对二维原子层材料施加复杂应变场，从而完成对二维原子层材料应变场的控制。

2.根据权利要求1所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述透明基底为石英基底。

3.根据权利要求1所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述纳米吸光层为金属纳米吸光层或非金属纳米吸光层。

4.根据权利要求3所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述金属纳米吸光层为锡、铟金属纳米吸光层；其厚度为5～30nm。

5.根据权利要求3所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述非金属纳米吸光层为聚苯乙烯纳米吸光层；其厚度为5～30nm。

6.根据权利要求1所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述二氧化硅纳米薄膜为三氧化二铝或二氧化铪纳米薄膜，其厚度为10～100nm。

7.根据权利要求1所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述二维原子层材料包括石墨烯、二硫化钼、二硒化钨二维原子层；其厚度为1～10个原子厚度；

当所述二维原子层材料为多层原子，则上下相邻原子层间为任意夹角，并且上下相邻原子层可为异质结构。

8.根据权利要求1所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述聚焦激光束的波长根据具体用途在紫外至红外波段选择；聚焦光斑的尺寸在微米或亚微米范围；聚焦激光束发的入射角度为正入射；入射方向既可以从上表面入射，也可以从下表面入射。

9.根据权利要求1所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述控制聚焦激光束的移动轨迹包括：移动所述转移有二维原子层材料的基底或者通过扫描振镜控制；所述聚焦激光束为连续激光或脉冲激光；激光功率在毫瓦量级。

10.根据权利要求1所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述复杂应变场包括：均匀应变分布、线性变化型应变分布、二次曲线型应变分布、指数变化型应变分布。