[发明专利]存储系统在审
申请号: | 202210048314.3 | 申请日: | 2022-01-17 |
公开(公告)号: | CN114792542A | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 金荣峰 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/08;G11C16/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 纪雯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储系统 | ||
一种存储系统,包括:非易失性存储设备和存储控制器,该存储控制器确认非易失性存储设备中的每一个的每条字线的编程时间,并基于每条字线的编程时间计算目标编程时间。非易失性存储设备中的每一个从存储控制器接收目标编程时间,并基于目标编程时间调整每条字线的编程时间。当每条字线的编程时间调整完成时,存储控制器确认存储系统在预定时间内的写入速度的变化幅度,并且当写入速度的变化幅度小于参考值时,将目标编程时间设置为最终目标编程时间。
相关申请的交叉引用
2021年1月25日向韩国知识产权局提交的题为“Memory System”的韩国专利申请No.10-2021-0010170通过引用整体并入本文。
技术领域
实施例涉及存储系统。
背景技术
根据对具有小尺寸和高容量的存储设备的需求的增加,已经积极地进行了对具有竖直堆叠存储单元的存储设备的研究。
发明内容
实施例涉及一种存储系统,包括:非易失性存储设备,分别包括多个存储块,存储块中的每一个包括连接到多条字线的多个存储单元:以及存储控制器,确认非易失性存储设备中的每一个的每条字线的编程时间,并基于每条字线的编程时间计算目标编程时间。非易失性存储设备中的每一个可以从存储控制器接收目标编程时间,并基于目标编程时间调整每条字线的编程时间,并且当每条字线的编程时间调整完成后,存储控制器可以确认存储系统在预定时间内的写入速度的变化幅度,并且当写入速度的变化幅度小于参考值时,将目标编程时间设置为最终目标编程时间。
实施例涉及一种存储系统,包括:非易失性存储设备,包括多条字线;以及存储控制器,设置目标编程时间,使得存储系统在预定时间内的写入速度的变化幅度满足参考值。存储控制器可以向非易失性存储设备发送与要被编程的字线相对应的目标编程时间,并且当存储控制器向非易失性存储设备发送用于字线的编程命令时,非易失性存储设备可以确认字线的编程时间,并基于目标编程时间调整字线的编程时间。
实施例涉及一种存储系统,包括:非易失性存储设备,包括多个存储块;以及存储控制器,设置目标编程时间,使得存储系统在预定时间内的写入速度的变化幅度满足参考值。在存储系统通电时,当存储控制器向非易失性存储设备发送目标编程时间时,非易失性存储设备可以存储目标编程时间,并且当存储控制器向非易失性存储设备发送用于字线的编程命令时,非易失性存储设备可以确认字线的编程时间,并基于目标编程时间调整字线的编程时间。
附图说明
通过参考附图详细描述示例实施例,特征对于本领域技术人员将变得显而易见,在附图中:
图1是示出了根据示例实施例的包括存储设备的存储系统的示意性框图;
图2是示出了根据示例实施例的非易失性存储设备的示意性框图;
图3是示出了根据示例实施例的非易失性存储设备的存储块的示意性电路图;
图4和图5是示出了根据示例实施例的非易失性存储设备的示意图;
图6是用于描述根据示例实施例的存储系统的性能变化幅度的视图;
图7是用于描述根据示例实施例的非易失性存储设备的每条字线的编程时间差异的视图;
图8A和图8B是用于描述根据示例实施例的存储系统的性能变化幅度的视图;
图9是用于描述根据示例实施例的非易失性存储设备的每条字线的编程时间差异的视图;
图10和图11是用于描述根据示例实施例的性能平坦化工作的视图;
图12是示出了根据示例实施例的在存储控制器和非易失性存储设备之间交换的命令或数据的视图;
图13是用于描述根据示例实施例的确认字线的编程时间的方法的视图;
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