[发明专利]一种NAND Flash介质剩余寿命预测的方法、装置、设备及介质

权利要求书

1.一种NAND Flash介质剩余寿命预测的方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取预设时间内NAND Flash的擦写次数随时间变化的第一数据和系统写入数据量随时间变化的第二数据；

将第一数据和第二数据分别进行预处理；

将预处理后的第一数据和第二数据分别输入到LSTM模型进行训练以得到训练后的模型；

基于训练后的模型预测NAND Flash的寿命终点时间。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取预设时间内NAND Flash的擦写次数随时间变化的第一数据和系统写入数据量随时间变化的第二数据包括：

在预设时间段中的每日的同一时间使用samrtctl-a命令采集SSD SMART信息；

记录SMART信息中NAND Flash的擦写次数随时间变化的第一数据和系统写入数据量随时间变化的第二数据。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将第一数据和第二数据分别进行预处理包括：

判断第一数据或第二数据中是否存在缺失的数据；

响应于存在缺失的数据，使用插值法将缺失的数据补充到第一数据或第二数据中以保证数据的连续性。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基于训练后的模型预测NAND Flash的寿命终点时间包括：

获取当前NAND Flash的擦写次数随时间变化的第三数据和系统写入数据量随时间变化的第四数据；

将第三数据输入到训练后的模型中以预测擦写次数达到额定擦写次数的第一日期；

将第四数据输入到训练后的模型中以预测系统写入数据量达到写入数据总量的第二日期；

将第一日期和第二日期中较近的日期确定为NAND Flash的寿命终点时间。

5.一种NAND Flash介质剩余寿命预测的装置，其特征在于，所述装置包括：

获取模块，所述获取模块配置为获取预设时间内NAND Flash的擦写次数随时间变化的第一数据和系统写入数据量随时间变化的第二数据；

处理模块，所述处理模块配置为将第一数据和第二数据分别进行预处理；

训练模块，所述训练模块配置为将预处理后的第一数据和第二数据分别输入到LSTM模型进行训练以得到训练后的模型；

预测模块，所述预测模块配置为基于训练后的模型预测NAND Flash的寿命终点时间。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述获取模块还配置为：

在预设时间段中的每日的同一时间使用samrtctl-a命令采集SSD SMART信息；

记录SMART信息中NAND Flash的擦写次数随时间变化的第一数据和系统写入数据量随时间变化的第二数据。

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述处理模块还配置为：

判断第一数据或第二数据中是否存在缺失的数据；

响应于存在缺失的数据，使用插值法将缺失的数据补充到第一数据或第二数据中以保证数据的连续性。

8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述预测模块还配置为：

获取当前NAND Flash的擦写次数随时间变化的第三数据和系统写入数据量随时间变化的第四数据；

将第三数据输入到训练后的模型中以预测擦写次数达到额定擦写次数的第一日期；

将第四数据输入到训练后的模型中以预测系统写入数据量达到写入数据总量的第二日期；

将第一日期和第二日期中较近的日期确定为NAND Flash的寿命终点时间。

9.一种计算机设备，其特征在于，包括：

至少一个处理器；以及

存储器，所述存储器存储有可在所述处理器上运行的计算机指令，所述指令由所述处理器执行时实现权利要求1-4任意一项所述方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-4任意一项所述方法的步骤。