[发明专利]一种晶圆厚薄双向量测方法

说明书

本发明公开了晶圆厚度测量领域内的一种晶圆厚薄双向量测方法，包括如下步骤：将晶圆定位放置在可在水平面内移动的量测载台上，对晶圆上需要进行量测的区域位置进行坐标扫描输入，在在量测区域内选定K个需要进行量测的点位坐标；针对待量测点位进行检测，分别根据上检测传感器接收的光束、下检测传感器接收的光束得出Thkopt_上和Thkopt_下，根据公式Thkopt/RI=Thkgeom，得到Thkgeom_x；重复上述步骤K‑1次，依次针对下一个待量测点位进行检测，直至控制系统计算得到（K‑1）组Thkgeom_x。本发明能够对晶圆Wafer进行多点位量测，作业模式多样化，可满足多元化的量测需求；通过上下双检测传感器作业模式，实现提高量测精度。

技术领域

本发明属于晶圆厚度测量领域，特别涉及一种晶圆厚薄双向量测方法。

背景技术

现有技术中，有一种晶圆厚度测量装置及含此装置的晶圆厚度测量系统，其专利申请号：201721438242.4；申请日：2017-11-01；公开号： 207407780U；公开日：2018-05-25；其测量装置结构包括测量支架、测量脚组和千分表，所述测量脚组包括至少三个测量脚；其测量系统包括旋转载台、平面标准件和用于放置待测量晶圆的陶瓷盘。该晶圆厚度测量系统测量速度快，不需频繁归零，能够减少陶瓷盘磨损，但是其不足之处在于：该测量装置采用千分表进行测量晶圆厚度的精确度较低，影响数据分析的准确性；测量系统测量晶圆厚度时，只能对晶圆上的某个点进行测量，作业模式单一，无法满足客户多元化的量测需求；针对数量较多的异常品进行确认时，量测时效性不高。

发明内容

本发明的目的是提供一种晶圆厚薄双向量测方法，能够对晶圆Wafer进行多点位量测，作业模式多样化，可满足多元化的量测需求；通过上下双检测传感器作业模式，实现提高量测精度。

本发明的目的是这样实现的：一种晶圆厚薄双向量测方法，包括如下步骤：

（1）将晶圆定位放置在可在水平面内移动的量测载台上，所述量测载台的中部开设有可容光束穿过的镂空槽，位于量测载台的上方和下方分别设置有上检测传感器和下检测传感器；

（2）对晶圆上需要进行量测的区域位置进行坐标扫描输入；

（3）在在量测区域内选定K个需要进行量测的点位坐标；

（4）针对待量测点位进行检测：量测载台带动晶圆移动，使得相应待量测点位移到与上检测传感器、下检测传感器相对的位置，上检测传感器向下朝着晶圆的待量测点位发射光脉冲，当光束到达晶圆片的上表面后，一部分光束被反射，另一部分光束被折射并在晶圆介质中传播直到到达晶圆的下表面，反射回来的光束被上检测传感器所接收；下检测传感器也向上朝着晶圆的待量测点位发射光脉冲，当光束到达晶圆片的下表面后，一部分光束被反射，另一部分光束被折射并在晶圆介质中传播直到到达晶圆的上表面，反射回来的光束被下检测传感器所接收；

（5）分别根据上检测传感器接收的光束、下检测传感器接收的光束得出Thkopt_上和Thkopt_下，根据公式Thkopt / RI= Thkgeom，代入RI后，控制系统分别计算出Thkgeom_上和Thkgeom_下，对Thkgeom_上和Thkgeom_下作处理后，得到Thkgeom_x；

（6）重复上述步骤（4）和（5）K-1次，依次针对下一个待量测点位进行检测，量测载台带动晶圆移动，使得下一个待量测点位依次移到与上检测传感器、下检测传感器相对应的位置进行检测作业，直至控制系统计算得到（K-1）组Thkgeom_x。