[发明专利]一种晶圆厚薄双向量测方法

权利要求书

1.一种晶圆厚薄双向量测方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）将晶圆定位放置在可在水平面内移动的量测载台上，所述量测载台的中部开设有可容光束穿过的镂空槽，位于量测载台的上方和下方分别设置有上检测传感器和下检测传感器；

（2）对晶圆上需要进行量测的区域位置进行坐标扫描输入；

（3）在在量测区域内选定K个需要进行量测的点位坐标；

（4）针对待量测点位进行检测：量测载台带动晶圆移动，使得相应待量测点位移到与上检测传感器、下检测传感器相对的位置，上检测传感器向下朝着晶圆的待量测点位发射光脉冲，当光束到达晶圆片的上表面后，一部分光束被反射，另一部分光束被折射并在晶圆介质中传播直到到达晶圆的下表面，反射回来的光束被上检测传感器所接收；下检测传感器也向上朝着晶圆的待量测点位发射光脉冲，当光束到达晶圆片的下表面后，一部分光束被反射，另一部分光束被折射并在晶圆介质中传播直到到达晶圆的上表面，反射回来的光束被下检测传感器所接收；

（5）分别根据上检测传感器接收的光束、下检测传感器接收的光束得出Thkopt_上和Thkopt_下，根据公式Thkopt / RI= Thkgeom，代入RI后，控制系统分别计算出Thkgeom_上和Thkgeom_下，对Thkgeom_上和Thkgeom_下作处理后，得到Thkgeom_x；

（6）重复上述步骤（4）和（5）K-1次，依次针对下一个待量测点位进行检测，量测载台带动晶圆移动，使得下一个待量测点位依次移到与上检测传感器、下检测传感器相对应的位置进行检测作业，直至控制系统计算得到（K-1）组Thkgeom_x。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆厚薄双向量测方法，其特征在于，所述量测载台呈圆形，镂空槽呈圆形，量测载台镂空槽处同轴设置有支撑环，支撑环下表面位于量测载台下表面的下方，量测载台镂空槽内壁沿周向等间隔设置有若干定位块，各定位块与支撑环之间均径向设置有一连接筋板；晶圆通过定位工具或者铁框安装在支撑环上。

3.根据权利要求2所述的一种晶圆厚薄双向量测方法，其特征在于，所述定位工具包括与支撑环相同轴设置的主定位环，主定位环位于支撑环和连接筋板上，各定位块配合贴靠着主定位环外周，主定位环的中心孔内左右对称设置有两根纵向支撑条，两根纵向支撑条之间设置有两根前后对称的横向支撑条，各支撑条的厚度均小于主定位环的厚度，各支撑条上方留有晶圆嵌入的圆形定位槽，主定位环上侧对应晶圆外周设置有至少四个限位凸块，量测的点位与各支撑条相错开设置。

4.根据权利要求2所述的一种晶圆厚薄双向量测方法，其特征在于，所述铁框外周与各定位块相对应设置，铁框下侧设置有胶膜，晶圆粘贴固定在胶膜上表面，胶膜位于支撑环上方。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种晶圆厚薄双向量测方法，其特征在于，所述上检测传感器和下检测传感器均竖直设置，上检测传感器和下检测传感器的轴线相重合。

6.根据权利要求3所述的一种晶圆厚薄双向量测方法，其特征在于，所述定位工具的定位槽内的晶圆包括下方的硅层和上方的线路层，步骤（5）中，分别根据上检测传感器接收的光束、下检测传感器接收的光束得出硅层、线路层的Thkopt_上和Thkopt_下，根据公式Thkopt /RI= Thkgeom，分别代入硅层、线路层的RI后，控制系统分别计算出硅层、线路层的Thkgeom_上和Thkgeom_下，上检测传感器测得的晶圆片的厚度等于硅层、线路层的Thkgeom_上之和，下检测传感器测得的晶圆片的厚度等于硅层、线路层的Thkgeom_下之和，对晶圆片的Thkgeom_上和Thkgeom_下作处理后，得到Thkgeom_x。