[发明专利]芯片电阻结构

说明书

一种芯片电阻结构，包括：一基板；一对第一电极，位于该基板的第一表面上，以第一间距相对设置；一电阻层，位于该基板的该第一表面上，该对第一电极之间；一间隔层，位于该对第一电极上方，其材料中包含一与该电阻层不同的组成分；一保护层，位于该电阻层上方；一镀层，电镀至该对第一电极与该间隔层上，具有延伸出该对第一电极外而停止于至少该间隔层上方的端部。通过这种芯片电阻结构，可避免环境物质渗入芯片电阻中，使电极硫化，同时可避免银迁移问题。

技术领域

本发明关于一种电阻结构，尤其关于一种芯片电阻结构。

背景技术

芯片电阻(Chip resistor)为电阻器的一种，因其体积小、功率高、成本低的优点，适合于多种电子产品，例如电脑、通信、消费电子、汽车电子产品等，作为降低电压、限制电流之用。使用时一般以焊料将其背面焊接至电路板上，而在正面通过印刷与干燥烧结形成电阻层与覆盖电阻层的保护层。现有芯片电阻的结构如图1所示，由长方形的陶瓷基板10、隔着固定间隔相对配置于陶瓷基板10正面的一对正面电极11、隔着固定间隔相对配置于陶瓷基板10背面的一对背面电极12、导通正面电极11与背面电极12的端面电极13、覆盖这些电极11、12、13的镀层14、桥接该等正面电极11的电阻层15、以及覆盖电阻层15的保护层等构成，其中保护层由被称为底涂层的第一绝缘层161和被称为外涂层的第二绝缘层162的双层结构所构成。

在构成上述芯片电阻的内部电极中，包括正面电极11、背面电极12、端面电极13，其主要含有银元素(Ag)。在使用该芯片电阻的电子设备的周边环境中若含有易与银反应的化学物质，尤其是高渗透性的气体或蒸气时，例如硫化气体H₂S、SO₂或水气等情况下，上述内部电极中的银会与环境化学物质的反应而生成不具导电性或低导电性的化合物。例如，银与硫反应生成电绝缘的黑色硫化银(Ag₂S)。因此，当上述内部电极被硫化气体入侵时，上述内部电极形成硫化银而造成导通不良、断线的情况发生。

此外，在潮湿环境中，水分子可能渗入电极表面并电解形成氢离子和氢氧根离子。银在电场及氢氧根离子的作用下，解离产生银离子，从高电位向低电位迁移，此银迁移现象会导致短路问题的发生。

在图1所示的现有技术中，硫化气体与水气便容易从绝缘层162与镀层14间的缝隙17渗入芯片电阻中而导致上述电极硫化与银迁移的问题。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提出一种芯片电阻结构，可避免环境物质轻易渗入芯片电阻中，避免电极硫化，同时避免银迁移问题。

本发明涉及一种芯片电阻结构，包括：一基板；一对第一电极，位于该基板的第一表面上，以第一间距相对设置；一电阻层，位于该基板的该第一表面上，该对第一电极之间；一间隔层，位于该对第一电极上方，其材料中包含一与该电阻层不同的组成分；一保护层，位于该电阻层上方；一镀层，电镀至该对第一电极与该间隔层上，具有延伸出该对第一电极外而停止于至少该间隔层上方的端部。

在一实施例中，该电阻层的两端分别延伸至该对第一电极上，而该间隔层包括第一部分与第二部分，分别从该对第一电极上方延伸至该电阻层的该两端上方。

在一实施例中，该间隔层的该第二部分的长度各为该芯片电阻结构总长度的12％～21％。

在一实施例中，该间隔层的该第一部分与该第二部分具有小于被其所覆盖的该电阻层的宽度。

在一实施例中，该间隔层的该第一部分与该第二部分具有不小于被其所覆盖的该对第一电极部分的宽度。

在一实施例中，该间隔层的该第一部分与该第二部分在该电阻层上一体成形为一连续层。

在一实施例中，该镀层的一端与该保护层的一端在该间隔层上方相接触，且其间的任何界面或缝隙与该等第一电极间以该间隔层分隔。