[发明专利]Cu-W含石墨烯复合材料的制备方法

权利要求书

1.Cu-W含石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：

步骤1，制备W@Cu石墨烯核-壳粉体；

步骤2，将步骤1制备的W@Cu石墨烯核-壳粉体进行烧结，得到Cu-W石墨烯复合材料。

2.根据权利要求1所述的Cu-W含石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1的具体过程为：

步骤1.1，将W粉均匀的放置在电沉积装置的阴极板上，向电沉积装置中装满电镀液；

步骤1.2，将氧化石墨烯置于去离子水中分散均匀，得到均匀分散液，将均匀分散液加入电镀液中，得到复合电镀液；

步骤1.3，导通脉冲电源进行间歇式电沉积，电沉积结束后将产物用去离子水和酒精清洗干净，放入真空干燥箱烘干，得到W@Cu石墨烯核-壳粉体。

3.根据权利要求2所述的Cu-W含石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1.1中，电镀液通过CuSO₄的浓度为30～40g/mL、H₂SO₄的浓度为70～90mL/L，在去离子水中均匀混合得到。

4.根据权利要求2所述的Cu-W含石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1.2中，W粉与氧化石墨烯的质量比为1:0.02～0.2，氧化石墨烯与去离子水的质量体积比为0.1～1mg/ml。

5.根据权利要求2所述的Cu-W含石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1.3中，间歇式电沉积的参数为：电流密度为1～7A/dm2，电沉积时间为10～45min，脉冲宽度为60～200s。

6.根据权利要求1所述的Cu-W含石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于，步骤2的具体过程为：

步骤2.1，将步骤1制备的W@Cu石墨烯核-壳粉体进行冷压预成型，得到W@Cu石墨烯生坯；

步骤2.2，对步骤2.1中得到W@Cu石墨烯生坯进行烧结，得到Cu-W石墨烯复合材料。

7.根据权利要求6所述的Cu-W含石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于，步骤2.1中，冷压压力为100～500MPa；步骤2.2中，烧结采用气氛管式炉，烧结温度为1300～1400℃，烧结时间为100～120min。

8.根据权利要求1所述的Cu-W含石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于，步骤2的具体过程为：将步骤1制备的W@Cu石墨烯核-壳粉体进行热压烧结，得到Cu-W石墨烯复合材料。

9.根据权利要求8所述的Cu-W含石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于，步骤2中，热压烧结采用的设备为真空热压炉或放电等离子烧结设备，烧结参数为：烧结温度为900～1300℃，烧结压力为40～80MPa，烧结时间为10～100min。