[发明专利]Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法在审
| 申请号: | 202210032197.1 | 申请日: | 2022-01-12 |
| 公开(公告)号: | CN114559034A | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
| 发明(设计)人: | 邓楠;张乔;陈铮;肖鹏;邹军涛;祝志祥;丁一;梁淑华 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
| 主分类号: | B22F1/17 | 分类号: | B22F1/17;C25D3/38;C25D5/18;C25D7/00;B22F3/14;C22C1/04;C22C27/04;C22C9/00;H01L23/373 |
| 代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 弓长 |
| 地址: | 710048 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | cu mo 复合材料 组织 调控 方法 | ||
1.Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:
步骤1,制备金属粉@Cu核壳粉体;
步骤2,将步骤1制备的金属粉@Cu核壳粉体进行热压烧结,得到Cu-金属复合材料。
2.根据权利要求1所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,所述金属粉为W粉或Mo粉。
3.根据权利要求2所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,步骤1的具体过程为:
步骤1.1,将W粉均匀的放置在电沉积装置的阴极板上,阳极板平行于阴极板放置,向电沉积装置中装满电镀液;
步骤1.2,导通脉冲电源进行间歇式电沉积,电沉积结束后将产物用去离子水和酒精清洗干净,放入真空干燥箱烘干,得到W@Cu核壳粉体;
或者,
步骤1的具体过程为:
步骤1.1,将Mo粉均匀的放置在电沉积装置的阴极板上,阳极板平行于阴极板放置,向电沉积装置中装满电镀液;
步骤1.2,导通脉冲电源进行间歇式电沉积,电沉积结束后将产物用去离子水和酒精清洗干净,放入真空干燥箱烘干,得到Mo@Cu核壳粉体。
4.根据权利要求3所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,步骤2具体为:将W@Cu核壳粉体或Mo@Cu核壳粉体放入真空热压炉进行热压烧结,得到Cu-W复合材料或Cu-Mo复合材料;
烧结参数为:烧结温度为1000~1400℃,烧结压力为40~80MPa,烧结时间为10~120min。
5.根据权利要求3所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,步骤1.1中,电镀液通过CuSO4的浓度为30~40g/mL、H2SO4的浓度为70~90mL/L,在去离子水中均匀混合得到。
6.根据权利要求3所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,W粉及Mo粉的粒径为100nm~1mm。
7.根据权利要求3所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,步骤1.2中,W@Cu核壳粉体中Cu的质量百分比为10%~50%,余量为W,两者质量百分比之和为100%;Mo@Cu核壳粉体中Cu的质量百分比为10%~50%,余量为Mo,两者质量百分比之和为100%。
8.根据权利要求3所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,步骤1.2中,W@Cu核壳粉体的包覆率为10%~100%;Mo@Cu核壳粉体的包覆率为10%~100%。
9.根据权利要求3所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,步骤1.2中,间歇式电沉积的参数为:电流密度为1~7A/dm2,电沉积时间为10~45min,脉冲宽度为60~200s。
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