[发明专利]Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法在审

专利信息
申请号: 202210032197.1 申请日: 2022-01-12
公开(公告)号: CN114559034A 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 邓楠;张乔;陈铮;肖鹏;邹军涛;祝志祥;丁一;梁淑华 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: B22F1/17 分类号: B22F1/17;C25D3/38;C25D5/18;C25D7/00;B22F3/14;C22C1/04;C22C27/04;C22C9/00;H01L23/373
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 弓长
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: cu mo 复合材料 组织 调控 方法
【权利要求书】:

1.Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:

步骤1,制备金属粉@Cu核壳粉体;

步骤2,将步骤1制备的金属粉@Cu核壳粉体进行热压烧结,得到Cu-金属复合材料。

2.根据权利要求1所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,所述金属粉为W粉或Mo粉。

3.根据权利要求2所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,步骤1的具体过程为:

步骤1.1,将W粉均匀的放置在电沉积装置的阴极板上,阳极板平行于阴极板放置,向电沉积装置中装满电镀液;

步骤1.2,导通脉冲电源进行间歇式电沉积,电沉积结束后将产物用去离子水和酒精清洗干净,放入真空干燥箱烘干,得到W@Cu核壳粉体;

或者,

步骤1的具体过程为:

步骤1.1,将Mo粉均匀的放置在电沉积装置的阴极板上,阳极板平行于阴极板放置,向电沉积装置中装满电镀液;

步骤1.2,导通脉冲电源进行间歇式电沉积,电沉积结束后将产物用去离子水和酒精清洗干净,放入真空干燥箱烘干,得到Mo@Cu核壳粉体。

4.根据权利要求3所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,步骤2具体为:将W@Cu核壳粉体或Mo@Cu核壳粉体放入真空热压炉进行热压烧结,得到Cu-W复合材料或Cu-Mo复合材料;

烧结参数为:烧结温度为1000~1400℃,烧结压力为40~80MPa,烧结时间为10~120min。

5.根据权利要求3所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,步骤1.1中,电镀液通过CuSO4的浓度为30~40g/mL、H2SO4的浓度为70~90mL/L,在去离子水中均匀混合得到。

6.根据权利要求3所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,W粉及Mo粉的粒径为100nm~1mm。

7.根据权利要求3所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,步骤1.2中,W@Cu核壳粉体中Cu的质量百分比为10%~50%,余量为W,两者质量百分比之和为100%;Mo@Cu核壳粉体中Cu的质量百分比为10%~50%,余量为Mo,两者质量百分比之和为100%。

8.根据权利要求3所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,步骤1.2中,W@Cu核壳粉体的包覆率为10%~100%;Mo@Cu核壳粉体的包覆率为10%~100%。

9.根据权利要求3所述的Cu-W/Mo复合材料组织调控的方法,其特征在于,步骤1.2中,间歇式电沉积的参数为:电流密度为1~7A/dm2,电沉积时间为10~45min,脉冲宽度为60~200s。

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