[发明专利]发光装置及投影仪

说明书

本发明提供一种可减少在柱状部的侧面流动的电流的发光装置及投影仪。发光装置包括具有多个柱状部的层叠体，多个所述柱状部分别具有：第一半导体层；第二半导体层，其导电型与所述第一半导体层不同；以及发光层，设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述第二半导体层具有：第一部分；以及第二部分，从所述第一半导体层及所述发光层的层叠方向俯视时，包围所述第一部分，且带隙比所述第一部分大，所述第二部分构成所述柱状部的侧面。

技术领域

本发明涉及一种发光装置及投影仪。

背景技术

半导体激光器被期待作为高亮度的下一代光源。其中，期待应用了纳米柱的半导体激光器可通过基于纳米柱的光子晶体的效应而以窄辐射角来实现高输出的发光。

例如，在专利文献1中记载了具有多个GaN纳米柱的化合物半导体发光元件，所述GaN纳米柱是依次层叠n型GaN层、发光层、p型GaN层而形成。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2009-152474号公报

[发明所要解决的问题]

在如上所述的纳米柱的侧面存在悬空键(dangling bond)，因此在纳米柱的侧面附近的载流子的再结合成为非发光再结合的可能性高。

发明内容

[解决问题的技术手段]

本发明的发光装置的一形态包括具有多个柱状部的层叠体，

多个所述柱状部分别具有：

第一半导体层；

第二半导体层，其导电型与所述第一半导体层不同；以及

发光层，设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，

所述第二半导体层具有：

第一部分；以及

第二部分，从所述第一半导体层及所述发光层的层叠方向俯视时，包围所述第一部分，且带隙比所述第一部分大，

所述第二部分构成所述柱状部的侧面。

本发明的投影仪的一形态包括所述发光装置的一形态。

附图说明

图1是示意性地表示本实施方式的发光装置的剖视图。

图2是示意性地表示本实施方式的发光装置的柱状部的剖视图。

图3是示意性地表示本实施方式的发光装置的柱状部的平面图。

图4是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。

图5是示意性地表示本实施方式的第一变形例的发光装置的柱状部的剖视图。

图6是示意性地表示本实施方式的第二变形例的发光装置的柱状部的剖视图。

图7是示意性地表示本实施方式的第三变形例的发光装置的柱状部的剖视图。

图8是示意性地表示本实施方式的投影仪的图。

图9是实验例的扫描透射电子显微镜(Scanning Transmission ElectronMicroscopy，STEM)图像。

[符号的说明]

10：基板

20：层叠体

22：缓冲层

30：柱状部