[发明专利]发光装置及投影仪在审
| 申请号： | 202210030162.4 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114765342A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 中川洋平;岸野克巳 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社;学校法人上智学院 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/32 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;徐川 |
| 地址： | 日本东京新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 装置 投影仪 | ||
1.一种发光装置，其中，包括具有多个柱状部的层叠体，
多个所述柱状部分别具有：
第一半导体层；
第二半导体层，其导电型与所述第一半导体层不同；以及
发光层，设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，
所述第二半导体层具有：
第一部分；以及
第二部分，从所述第一半导体层及所述发光层的层叠方向俯视时，包围所述第一部分，且带隙比所述第一部分大，
所述第二部分构成所述柱状部的侧面。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第二半导体层是AlGaN层，
所述第二部分的Al的原子浓度比所述第一部分的Al的原子浓度高。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，
所述第一半导体层具有：
第三部分；以及
第四部分，从所述层叠方向俯视时，包围所述第三部分，且带隙比所述第三部分大，
所述第四部分构成所述柱状部的侧面。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，
所述第一半导体层是AlGaN层，
所述第四部分的Al的原子浓度比所述第三部分的Al的原子浓度高。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述发光层具有阱层以及阻挡层，
所述阻挡层具有：
第五部分；以及
第六部分，在从所述层叠方向俯视时，包围所述第五部分，且带隙比所述第五部分大，
所述第六部分构成所述柱状部的侧面。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其中，
所述阻挡层是AlGaN层，
所述第六部分的Al的原子浓度比所述第五部分的Al的原子浓度高。
7.一种投影仪，其中，包括根据权利要求1至6中任一项所述的发光装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社;学校法人上智学院，未经精工爱普生株式会社;学校法人上智学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210030162.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
