[发明专利]三态内容寻址存储器

说明书

本发明公开了一种三态内容寻址存储器，包括与TCAM单元连接的搜索线；所述搜索线配有升压电路；所述升压电路包括：设置在搜索线一侧且与搜索线形成耦合电容的金属线，以及与金属线连接的升压控制单元；所述升压控制单元在搜索线处于高电平时，将金属线设置为高电平；且金属线通过耦合电容提高处于高电平的局部搜索线的电压。本发明能在搜索线处于高电平时进一步提高搜索线的电压，搜索线电压提高后，可增大TCAM单元中为匹配线放电的NMOS管的VGS电压，从而可加大放电电流，可使匹配线放电速度变快，进而使匹配线求值速度变快，提高搜索操作的效率，进而提高三态内容寻址存储器的工作频率和性能。

技术领域

本发明涉及三态内容寻址存储器。

背景技术

三态内容寻址存储器（TCAM，Ternary Content Addressable Memory）主要用于快速查找ACL、路由等表项，它是从CAM的基础上发展而来的。一般的CAM存储器中每个bit位的状态只有两个，“0”或“1”，而TCAM中每个bit位有三种状态，除掉“0”和“1”外，还有一个“don’t care”状态，所以称为“三态”，它是通过掩码来实现的，正是TCAM的这个第三种状态特征使其既能进行精确匹配查找，又能进行模糊匹配查找，而CAM没有第三种状态，所以只能进行精确匹配查找。

TCAM的工作频率，取决于搜索操作的快慢，核心取决于匹配线ML放电速度（即求值）的快慢。

发明内容

本发明的目的在于提供一种三态内容寻址存储器，包括与TCAM单元连接的局部搜索线；所述局部搜索线配有升压电路；

所述升压电路包括：设置在局部搜索线一侧且与局部搜索线形成第一耦合电容的第一金属线，以及与第一金属线连接的升压控制单元；

所述升压控制单元在局部搜索线处于高电平时，将第一金属线设置为高电平；且第一金属线通过第一耦合电容提高处于高电平的局部搜索线的电压。

优选的，还包括与TCAM单元连接且与局部搜索线互补的互补局部搜索线；

所述升压电路还包括：设置在互补局部搜索线一侧且与互补局部搜索线形成第二耦合电容的第二金属线；升压控制单元还与第二金属线连接；

所述升压控制单元在互补局部搜索线处于高电平时，将第二金属线设置为高电平；且第二金属线通过第二耦合电容提高处于高电平的互补局部搜索线的电压。

优选的，所述第一金属线与局部搜索线并行，且第一金属线不短于局部搜索线。

优选的，所述第二金属线与互补局部搜索线并行，且第二金属线不短于互补局部搜索线。

所述升压控制单元的具体结构和升压电路的具体控制方法见实施例。

本发明的优点和有益效果在于：提供一种三态内容寻址存储器，其能在搜索线处于高电平时进一步提高搜索线的电压，搜索线电压提高后，可增大TCAM单元中为匹配线放电的NMOS管的VGS电压，从而可加大放电电流，可使匹配线放电速度变快，进而使匹配线求值速度变快，提高搜索操作的效率，进而提高三态内容寻址存储器的工作频率和性能。

因为金属线与对应的搜索线并行，且金属线不短于对应的搜索线，故耦合电容可随搜索线长度改变而改变，所以电压提高（Boost）效果不会因为搜索线变长而降低。

本发明中升压控制信号线翻转滞后于搜索线翻转的时间可调节，即升压启动时间点可调节。

本发明的方案适用于所有NOR-type CAM。

附图说明

图1是本发明的电路图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。