[发明专利]显示装置在审
| 申请号： | 202210029672.X | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN114185216A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 三宅博之;兼安诚 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;G09F9/30;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 程晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
1.一种显示装置，包括：
像素，所述像素包括：
第一晶体管；
第二晶体管；
与所述第一晶体管电连接的第一像素电极；
与所述第二晶体管电连接的第二像素电极；
第一电容元件；以及
第二电容元件；
扫描线，设置在衬底上并且与所述衬底接触，所述扫描线具有用作所述第一晶体管的栅电极的区域和用作所述第二晶体管的栅电极的区域；
第一导电层，设置在所述衬底上并且与所述衬底接触，所述第一导电层具有用作所述第一电容元件的一个电极的区域；
第一绝缘膜，具有与所述扫描线的顶面接触的区域和与所述第一导电层的顶面接触的区域；
半导体膜，隔着所述第一绝缘膜设置在所述扫描线上，所述半导体膜包括所述第一晶体管的沟道形成区域和所述第二晶体管的沟道形成区域；
信号线，具有用作所述第一晶体管的源电极和漏电极中的一个的区域和用作所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个的区域；
第二导电层，具有用作所述第一晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个的区域和用作所述第一电容元件的另一个电极的区域；以及
第三导电层，具有与所述扫描线重叠的区域，并且与所述第一导电层电连接，
其中，所述第二导电层在与所述第一导电层重叠的区域与所述第一像素电极电连接，
其中，所述信号线具有在第一方向上延伸的区域，并且
其中，所述第三导电层具有在所述第一方向上延伸的区域。
2.一种显示装置，包括：
像素，所述像素包括：
第一晶体管；
第二晶体管；
与所述第一晶体管电连接的第一像素电极；
与所述第二晶体管电连接的第二像素电极；
第一电容元件；以及
第二电容元件；
扫描线，设置在衬底上并且与所述衬底接触，所述扫描线具有用作所述第一晶体管的栅电极的区域和用作所述第二晶体管的栅电极的区域；
第一导电层，设置在所述衬底上并且与所述衬底接触，所述第一导电层具有用作所述第一电容元件的一个电极的区域；
第一绝缘膜，具有与所述扫描线的顶面接触的区域和与所述第一导电层的顶面接触的区域；
半导体膜，隔着所述第一绝缘膜设置在所述扫描线上，所述半导体膜包括所述第一晶体管的沟道形成区域和所述第二晶体管的沟道形成区域；
信号线，具有用作所述第一晶体管的源电极和漏电极中的一个的区域和用作所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个的区域；
第二导电层，具有用作所述第一晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个的区域和用作所述第一电容元件的另一个电极的区域；以及
第三导电层，具有与所述扫描线重叠的区域，并且与所述第一导电层电连接，
其中，所述第二导电层在与所述第一导电层重叠的区域与所述第一像素电极电连接，
其中，所述信号线具有在第一方向上延伸的区域，
其中，所述第三导电层具有在所述第一方向上延伸的区域，并且
其中，所述第二导电层和所述信号线都不具有与所述第三导电层重叠的区域。
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