[发明专利]一种无源实现数据通讯中数据编码及存储的系统

说明书

本发明公开了一种无源实现数据通讯中数据编码及存储的系统，包括MxN个行控制单元、M个列控制单元、一个NMOS管和M+1个下拉电阻。一个行控制单元由一个二极管配合一个开关组成；一个列控制单元由一个二极管配合一个PMOS管组成。本发明采用了无源器件，能够在无稳定电源条件下，实现需要的数据编码及存储，支持在高压如3.3V～30V条件下，都能够正常输出数据。同时因为使用了无源器件，在不工作时，其不需要电流来维持电路工作，因此真正实现0功耗。

技术领域

本发明涉及数据处理技术领域，具体是一种无源实现数据通讯中数据编码及存储的系统。

背景技术

随着各种电子设备应用发展，电子设备中的识别编码及数据存储越来越重要。目前在稳定电源供电下，基于5V以下电压的数据编码和存储电路已经非常常用和普遍；并且通过5V及5V以下器件对大于5V的信号的控制，也是非常普遍。

但在无稳定电源供电条件下，对高压或5V及以下电压的数据编码以及存储没有一种成熟的方法。如果想要在无稳定电源供电下，采用稳压电路模块或储能技术获取稳定电源的方法，又涉及到从无电源到获取电源稳定的时间的限制。

发明内容

本发明的目的在于提供一种无源实现数据通讯中数据编码及存储的系统，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种无源实现数据通讯中数据编码及存储的系统，包括MxN个行控制单元、M个列控制单元、一个NMOS管和M+1个下拉电阻。一个行控制单元由一个二极管配合一个开关组成；一个列控制单元由一个二极管配合一个PMOS管组成。包括二极管D101、二极管D102、MOS管Q101、MOS管Q102、电阻R101和电阻R102，其特征在于，所述二极管D101的阳极连接二极管D102～D10M的阳极和控制信号L1，二极管D201的阳极连接二极管D202～D20M的阳极和控制信号L2，二极管D301的阳极连接二极管D302～D30M的阳极和控制信号L3，二极管DN01的阳极连接二极管DN02～DN0M的阳极和控制信号LN，二极管D101的阴极连接二极管D201～DN01的阴极、MOS管Q101的栅极和电阻R101，二极管D102的阴极连接二极管D202～DN02的阴极、MOS管Q102的栅极和电阻R102，二极管D10M的阴极连接二极管D20M～DN0M的阴极、MOS管Q10M的栅极和电阻R10M，MOS管Q101的源极连接MOS管Q102的源极、MOS管Q10M的源极、电阻R201和MOS管Q200的栅极，MOS管Q101的漏极连接二极管D01的阴极，二极管D01的阳极连接信号C1，MOS管Q102的漏极连接二极管D02的阴极，二极管D02的阳极连接信号C2，MOS管Q10M的漏极连接二极管D0M的阴极，二极管D0M的阳极连接信号CM，MOS管Q200的漏极连接信号Data。

作为本发明的进一步技术方案，所述二极管D101～D10M、二极管D201～D20M、二极管D301～D30M、二极管DN01～DN0M的阴极与对应的MOS管的栅极之间均设有开关SW。

作为本发明的进一步技术方案，所述MOS管Q101、MOS管Q102～Q10M均为PMOS管，MOS管Q200为NMOS管。

作为本发明的进一步技术方案，所述二极管D101～D10M均为开关二极管。

作为本发明的进一步技术方案，所述二极管D201～D20M均为开关二极管。

作为本发明的进一步技术方案，所述二极管D301～D30M均为开关二极管。

作为本发明的进一步技术方案，所述二极管DN01～DN0M均为开关二极管。

作为本发明的进一步技术方案，所述二极管D01～D0M均为开关二极管。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：