[发明专利]一种改善单晶硅片烘干的方法

权利要求书

1.一种改善单晶硅片烘干的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.将花篮(1)放入烘干槽(8)，并保持花篮支架升降机构A(2)与花篮支架升降机构B(3)处于水平对齐的位置，此时所述花篮(1)中的硅片(4)处于杂乱无序的状态；

S2.控制花篮支架升降机构A(2)在与水平面垂直的方向上缓慢下降，同时，控制花篮支架升降机构B(3)在与水平面垂直的方向上缓慢上升，在此过程中，所述花篮(1)中的硅片(4)受重力和热氮气的气流影响，一致靠向位置较低的花篮方向a(5)，花篮方向b(6)上没有接触花篮齿(7)的硅片(4)的一面被烘干；

S3.控制花篮支架升降机构A(2)在与水平面垂直的方向上缓慢上升，同时，控制花篮支架升降机构B(3)在与水平面垂直的方向上缓慢下降，在此过程中，所述花篮(1)中的硅片(4)受重力和热氮气的气流影响，一致靠向位置较低的花篮方向b(6)，花篮方向a(5)上没有接触花篮齿(7)的硅片(4)的一面被烘干；

S4.控制花篮支架升降机构A(2)在与水平面垂直的方向上缓慢下降，同时，控制花篮支架升降机构B(3)在与水平面垂直的方向上缓慢上升，使花篮支架升降机构A(2)与花篮支架升降机构B(3)处于水平对齐的位置，烘干完成。

2.根据权利要求1所述的一种改善单晶硅片烘干的方法，其特征在于，所述花篮支架升降机构A(2)和花篮支架升降机构B(3)均为气动升降机构，通过气缸与双导杆或四根导杆实现双行程或三行程举升。

3.根据权利要求1所述的一种改善单晶硅片烘干的方法，其特征在于，所述花篮齿(7)的一排设置在花篮支架(9)的内底面上，另一排设置在花篮支架(9)的内中上方。

4.根据权利要求3所述的一种改善单晶硅片烘干的方法，其特征在于，所述花篮支架(9)内底面上的花篮齿(7)的正切面形状为正三角形，所述花篮支架(9)内中上方的花篮齿(7)的正切面形状为正方形。

5.根据权利要求1所述的一种改善单晶硅片烘干的方法，其特征在于，所述硅片(4)的数量为21片。