[发明专利]一种单晶硅棒电阻率的测量方法及装置

权利要求书

1.一种单晶硅棒电阻率的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：测量单晶硅棒头部硅片电阻率：对待测单晶硅棒头部硅片的电阻率进行测量；

S2：计算单晶硅棒头部硅片掺杂浓度：根据测量得到的电阻率、单晶硅电阻率和掺杂浓度的第一关系计算所述待测单晶硅棒头部的掺杂浓度；

S3：计算：获取单晶硅棒电阻率的测算公式，测算公式的计算参数包括单晶硅棒不同位置的浓度比值和单晶硅棒头部的掺杂浓度；

S4：计算不同位置电阻率：选取单晶硅棒不同位置进行电阻率测量，并获得单晶硅棒不同位置的浓度比值和所述待测单晶硅棒头部的掺杂浓度，通过计算获得所述待测单晶硅棒不同位置的电阻率；

S5：检验测量结果：将测得的电阻率进行记录分析，通过对比检验单晶硅棒电阻率的测量是否正确，并计算所述测量方法的正确率。

2.根据权利要求1所述的单晶硅棒电阻率的测量方法，其特征在于，所述S1中，在基准单晶硅棒的预设位置抽取硅片测量所述硅片的第一电阻率。

3.根据权利要求1所述的一种单晶硅棒电阻率的测量方法，其特征在于，其特征在于，所述S2中，根据第一电阻率、单晶硅棒头部硅片的电阻率和掺杂浓度的第一关系计算所述基准单晶硅棒预设位置的第一掺杂浓度,根据单晶硅棒中掺杂浓度的分布规律和所述基准单晶硅棒头部的掺杂浓度计算所述基准单晶硅棒预设位置的第二掺杂浓度。

4.根据权利要求3所述的一种单晶硅棒电阻率的测量方法，其特征在于，根据所述第一电阻率、单晶硅电阻率和掺杂浓度的第一关系计算所述基准单晶硅棒预设位置的第一掺杂浓度，利用以下公式计算所述第一掺杂浓度：

其中，ρ为第一电阻率，为第一掺杂浓度，且根据单晶硅棒中掺杂浓度的分布规律和所述基准单晶硅棒头部的掺杂浓度计算所述基准单晶硅棒预设位置的第二掺杂浓度，利用以下公式计算所述第二掺杂浓度：

其中，为第二掺杂浓度，为所述单晶硅棒头部的掺杂浓度，所述单晶硅棒预设位置与所述单晶硅棒头部的距离为l，g是单晶硅棒生长到l长度时单晶硅棒的重量和单晶硅棒总重量的比值，k为掺杂杂质的分凝系数。

5.根据权利要求4所述的一种单晶硅棒电阻率的测量方法，其特征在于，计算所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度的第一比值,更换基准单晶硅棒，重复上述步骤，直至得到N个所述第一比值，N为大于1的整数，利用N个所述第一比值确定所述预设位置的浓度比值。

6.根据权利要求1所述的一种单晶硅棒电阻率的测量方法，其特征在于，所述S3中，获取的测算公式为：

其中，F_l(g)为待测位置的浓度比值，ρ₁(g)为待测位置的电阻率，所述待测位置与所述单晶硅棒头部的距离为l，g是单晶硅棒生长到l长度时单晶硅棒的重量和单晶硅棒总重量的比值，k为掺杂杂质的分凝系数。

7.根据权利要求1所述的一种单晶硅棒电阻率的测量方法，其特征在于，所述S5中，将计算的结果进行记录，并采用四探针测试仪测量所述待测单晶硅棒电阻率范围，将所述测量方法测量的电阻率数值与四探针测试仪测量的所述待测单晶硅棒电阻率范围进行对比检验所述测量是否合准确，同时计算所述测量方法的正确率。