[发明专利]一种用于真空设备中基片加热的加热器有效

专利信息
申请号: 202210004154.2 申请日: 2022-01-04
公开(公告)号: CN114286461B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 廖昭亮 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H05B3/26 分类号: H05B3/26;H05B3/06;H05B3/02
代理公司: 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 代理人: 张先蓉
地址: 230029 安徽省合肥市合作*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 真空设备 中基片 加热 加热器
【说明书】:

发明公开一种用于真空设备中基片加热的加热器,包括加热单元,加热单元包括导热体,导热体的任一表面设置为平整面,平整面用于热接触被加热的基片,导热体通过粘胶封装有加热件,加热件具有引脚;电流控制单元与引脚相连,电流控制单元通过控制加热件的电流来控制加热功率;加热单元和电流控制单元均安装于固定单元上,固定单元包括放置板,加热单元设置于放置板上,放置板上设置有固定件,基片通过固定件安装于平整面上。本发明公开的用于真空设备中基片加热的加热器,其是一种能用于不同的环境氛围的加热器,其具有更低的成本,以及更高的兼容性,能满足各种需要。

技术领域

本发明涉及薄膜材料以及相关的应用科学领域,特别是涉及一种用于真空设备中基片加热的加热器。

背景技术

薄膜材料以及相关的应用科学是一门新兴而蓬勃发展的领域。纳米技术是当今各个国家都重点发展的技术,而其薄膜技术是纳米材料技术中重要且相对成熟的分支。不论是在学术界,还是在工业界,大量的精力用于研究薄膜材料的生长和制备以及性质的研究。当前薄膜制备手段很多,殊如脉冲激光沉积(PLD),磁控溅射,热蒸发,化学气相沉积(CVD)等。这些技术手段各有优点,用于制备不同需要的薄膜。而薄膜生长多需要在一定的基片温度下进行,低至100摄氏度,高至1000摄氏度。生长的气体氛围也与生长的薄膜以及计量比的控制需求有关,有还原性气体氛围,也有强氧化性气体氛围,也有真空状态。这对加热基本的加热器提出了严格的要求。当前工业界主要的加热技术有激光加热和pyrolyticboron nitride(PBN)加热器。激光加热器很昂贵,而且对系统兼容器不好,需要光路设计。PBN加热器相对便宜,但不适用于臭氧氛围,有可能有污染性气体释放,造成薄膜污染。因此目前亟需一种新型的用于真空设备中基片加热的加热器。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于真空设备中基片加热的加热器,以解决上述现有技术存在的问题,使其具有低成本、高兼容性的特点,并且能用于不同的环境氛围。

为实现上述目的,本发明提供了如下方案:本发明提供一种用于真空设备中基片加热的加热器,包括:

加热单元,所述加热单元包括导热体,所述导热体的任一表面设置为平整面,所述平整面用于热接触被加热的基片,所述导热体通过粘胶封装有加热件,所述加热件具有引脚;

电流控制单元,所述电流控制单元与所述引脚相连,所述电流控制单元通过控制所述加热件的电流来控制加热功率;

固定单元,所述加热单元和所述电流控制单元均安装于所述固定单元上,所述固定单元包括放置板,所述加热单元设置于所述放置板上,所述放置板上设置有固定件,基片通过所述固定件安装于所述平整面上。

优选的,所述导热体包括至少两层导热层,且相邻的所述导热层之间设置有间隙,位于最外层的任一所述导热层设置有所述平整面,所述加热件通过粘胶封装于相邻的所述导热层之间,所述引脚沿所述导热层之间的间隙伸出。

优选的,所述导热层包括陶瓷板,所述陶瓷板为矩形板结构,所述陶瓷板的数量为两个,任一所述陶瓷板设置有所述平整面,另一所述陶瓷板设置于所述放置板上。

优选的,所述加热件包括加热丝和设置于所述加热丝端部的所述引脚,所述加热丝通过陶瓷胶封装于两个所述陶瓷板之间,所述电流控制单元通过控制所述加热丝的电流来控制加热功率,所述加热丝设置有多个相互连接的折弯段,多个所述折弯段之间相互平行,多个所述折弯段沿所述陶瓷板的长度方向顺序排列,且每个所述折弯段的长度与所述陶瓷板的宽度相适配。

优选的,所述电流控制单元包括至少两个电极,所述引脚与所述电极之间电连接。

优选的,所述固定单元还包括基座,所述电极设置于所述基座与所述放置板之间,所述基座可拆卸连接于样品台上,所述样品台上设有电极刷,所述电极刷用于接触所述电极。

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