[发明专利]数据存储方法和系统

说明书

本发明提出了一种数据存储方法和系统，其中，所述方法包括：标识非易失性数据存储NVDS扇区和备份BACKUP扇区；对所述NVDS扇区进行写入操作，每次写入数据时，将数据写入NVDS扇区的新页中，其中所述新页是在其中没有有效数据的页。

技术领域

本公开涉及数据存储领域，更具体地，涉及到一种用于非易失性存储器的数据存储方法和系统。

背景技术

目前，在片上系统(SoC)中常见的存储方式为非易失性数据存储(NVDS，non-volatile data storage)模块，例如闪存(flash)。一般来说，flash从大到小可分为多个级别的结构，其中，最小擦除单位是扇区(sector)，而sector包括作为最大编程(写入)单位的页(page)。

在通常的设计方案中，为了节省空间，每条数据在存储到flash中时，存储的地址是在上条数据之后。如果地址在某个页page的中间而非起点，则代表该页page至少被写入两次。当数据存满一个扇区后，会提取其中有效数据转移到另一个扇区中，以达到充分利用存储空间的目的。

发明内容

技术问题

如上所述，在flash中，每条新数据物理上是存储在上条数据之后。这也就代表着，每个flash的页page可能会被多次写入，然而如果在写入的时候发生flash供电不稳的情况，出于与flash内部架构有关的原因，部分flash会出现当前写入的这个页page中所有数据全部丢失的情况。这就可能会造成用户原先存储的一些重要数据丢失，进而有可能引起程序出现一系列异常情况。

问题的解决方案

根据本公开的一方面，提供了一种数据存储方法，包括：标识非易失性数据存储NVDS扇区和备份BACKUP扇区；对所述NVDS扇区进行写入操作，每次写入数据时，将数据写入NVDS扇区的新页中，其中所述新页是在其中没有有效数据的页。

根据本公开的一方面，提供了一种数据存储方法，其中，标识NVDS扇区和BACKUP扇区包括：通过将所述NVDS扇区和所述BACKUP扇区中的第一页Page0标记为NVDS或BACKUP来标识NVDS扇区和BACKUP扇区。

根据本公开的一方面，提供了一种数据存储方法，还包括：确定所述NVDS扇区是否已存满数据，并且响应于NVDS扇区已存满数据，整合所述NVDS扇区的所有有效数据，一次性写入BACKUP扇区中的新页，并且擦除所述NVDS扇区。

根据本公开的一方面，提供了一种数据存储方法，其中，确定所述NVDS扇区是否已存满数据通过在NVDS扇区中确定是否存在新页来判断。

根据本公开的一方面，提供了一种数据存储方法，还包括：确定所述BACKUP扇区是否即将存满，以及响应于确定BACKUP扇区即将存满，将NVDS扇区的数据整合到BACKUP扇区中。

根据本公开的一方面，提供了一种数据存储方法，其中，确定所述BACKUP扇区是否即将存满包括：1)判断BACKUP扇区的空白页的数量是否小于预设的第一阈值，2)判断BACKUP扇区的空白页占BACKUP扇区的容量的比例是否小于第二阈值，或者3)判断BACKUP扇区的空白页的大小是否小于要写入的新数据的大小。

根据本公开的一方面，提供了一种数据存储方法，其中，将NVDS扇区的数据整合到BACKUP扇区中包括：整合NVDS扇区的所有有效数据，一次性写入BACKUP扇区中的新页。

根据本公开的一方面，提供了一种数据存储方法，还包括：擦除所述NVDS扇区，之后将该NVDS扇区的角色变更为新BACKUP扇区；整合原BACKUP扇区的有效数据，将其一次性写入新BACKUP扇区；以及擦除原BACKUP扇区，并且将原BACKUP扇区的角色变更为新NVDS扇区。