[发明专利]导电性二维粒子及其制造方法在审
| 申请号: | 202180052265.4 | 申请日: | 2021-08-23 |
| 公开(公告)号: | CN115989555A | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
| 发明(设计)人: | 小柳雅史;柳町章麿;坂本宙树;清水肇 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | H01G11/30 | 分类号: | H01G11/30 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 韩聪 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导电性 二维 粒子 及其 制造 方法 | ||
提供一种导电性二维粒子及其制造方法,氯与溴的合计含有率在一定水平以下,适合无卤素用途,此外不用使用粘合剂就能够形成高导电性薄膜。上述导电性二维粒子,是至少包含1个层的层状材料的导电性二维粒子,所述层包括:由下式:Msubgt;m/subgt;Xsubgt;n/subgt;(式中,M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属,X是碳原子、氮原子或其组合,n为1以上且4以下,m大于n并在5以下)表示的层主体;存在于该层主体表面的修饰或末端T(T是从羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子所构成的群中选择的至少一种),含有单价的金属离子,不含胺,氯与溴的合计含有率为1500质量ppm以下,所述导电性二维粒子的二维面的长径的平均值为1.0μm以上且20μm以下。
技术领域
本发明涉及导电性二维粒子及其制造方法。
背景技术
近年来,作为具有导电性的新材料,MXene受到注目。MXene是所谓的二维材料的一种,如后述,是具有1个或多个层的形态的层状材料。一般来说,MXene具有这样的层状材料的粒子(可包括粉末、薄片、纳米片等)的形态。
目前,面向MXene对于各种电气器件的应用正在进行各种研究。面向上述应用,要求进一步提高含有MXene的材料的导电性。作为该研究的一环,对于作为多层化物得到的MXene的层间剥离法进行研究。
在非专利文献1中公开有通过使用TMAOH(氢氧化四甲铵),经手摇抖动,进行多层MXene的层间剥离。另外,在非专利文献1中公开有通过使用DMSO(二甲基亚砜),再进行超声波处理,从而进行多层MXene的层间剥离。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1:Guidelines for Synthesis and Processing of Two-Dimensional Titanium Carbide(Ti3C2Tx MXene)Chem.Mater.2017,29,7633-7644
发明内容
发明所要解决的问题
在电子设备等行业中,作为绿色筹措的一环,要求在卤素之中,将氯与溴的合计含有率抑制在一定以下,也就是所谓的“无卤素”。具体来说,要求氯的含有率为900质量ppm以下,且溴的含有率为900质量ppm以下,且氯与溴的合计含有率为1500质量ppm以下。
在上述非专利文献1中,能够得到不含氯等的单层·少层MXene,但是,由非专利文献1所得到的MXene构成的薄膜的电导率低至200S/cm。本发明鉴于上述情况而提出,其目的在于,提供一种氯与溴的合计含有率在一定以下,适合无卤素用途,此外能够形成高导电性薄膜的导电性二维粒子及其制造方法。
解决问题的手段
根据本发明的一个要旨,提供一种导电性二维粒子,是包含1个层、或包含1个层和多个层的层状材料的导电性二维粒子,其中,
所述层包括:由下式:MmXn表示的层主体(式中,M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属,X是碳原子、氮原子或其组合,n为1以上且4以下,m大于n并在5以下);存在于该层主体表面的修饰或末端T(T是从羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子所构成的群中选择的至少一种),
含有单价的金属离子,
不含胺,氯与溴的合计含有率为1500质量ppm以下,
所述导电性二维粒子的二维面的长径的平均值为1.0μm以上且20μm以下。
根据本发明的另一个要旨,提供一种导电性二维粒子的制造方法,其中,包括:
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