[发明专利]荧光体粉末的制造方法、荧光体粉末以及发光装置

权利要求书

1.一种荧光体粉末的制造方法，是含有无机化合物的荧光体粉末的制造方法，所述无机化合物是在由Ba₂₆Si₅₁O₂N₈₄表示的结晶中、或者在具有与由Ba₂₆Si₅₁O₂N₈₄表示的结晶相同的晶体结构的无机结晶中固溶有Eu作为激活剂而成的，

所述荧光体粉末的制造方法包括如下工序：

混合工序，将包含构成所述无机化合物的各元素的原料混合，得到以如下方式配合而得的原料混合粉末：将原料混合粉末中的Ba、Si、Eu的摩尔比分别设为a、b、c时，满足b＝51、a/b＞(26－c)/51；

煅烧工序，将所述原料混合粉末煅烧而得到煅烧物；以及

清洗处理工序，对所述煅烧物进行酸处理和/或水处理。

2.根据权利要求1所述的荧光体粉末的制造方法，其中，

所述混合工序中，得到以a、b满足0.51＜a/b＜1的方式配合而成的所述原料混合粉末。

3.根据权利要求1或2所述的荧光体粉末的制造方法，其中，

用于酸处理的酸包含无机酸。

4.根据权利要求3所述的荧光体粉末的制造方法，其中，

所述酸包含HNO₃。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的荧光体粉末的制造方法，其中，包含：

粉体处理工序，对于所述煅烧工序中得到的所述煅烧物，在所述清洗处理工序之前，进行粉碎、破碎和/或筛分中的至少一种以上。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的荧光体粉末的制造方法，其中，

得到在利用激光衍射散射法测定的所述荧光体粉末的体积频率粒度分布中，将累积值成为50％的粒径设为D50时，D50满足1μm～50μm的所述荧光体粉末。

7.一种荧光体粉末，其含有无机化合物，所述无机化合物是在由Ba₂₆Si₅₁O₂N₈₄表示的结晶中、或者在具有与由Ba₂₆Si₅₁O₂N₈₄表示的结晶相同的晶体结构的无机结晶中固溶有Eu作为激活剂而成的，

在将波长450nm的激发光照射到该荧光体粉末而得到的发光光谱中，将处于700nm～1500nm的范围的峰值波长的发光强度设为P0，将处于500nm以上且小于700nm的峰值波长的发光强度设为P1时，

P0、P1满足P1/P0≤0.20。

8.根据权利要求7所述的荧光体粉末，其中，

在利用激光衍射散射法测定的该荧光体粉末的体积频率粒度分布中，将累积值成为50％的粒径设为D50时，D50为1μm～50μm。

9.根据权利要求7或8所述的荧光体粉末，其中，

在利用激光衍射散射法测定的该荧光体粉末的体积频率粒度分布中，将累积值成为10％的粒径设为D10，将累积值成为50％的粒径设为D50，将成为90％的粒径设为D90时，

((D90－D10)/D50)为1.00～3.00。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的荧光体粉末，其中，

在所述发光光谱中，处于700nm～1500nm的范围的峰值波长的半峰宽为100nm～400nm。

11.一种发光装置，具备发出一次光的发光元件、以及吸收所述一次光的一部分并发出具有比一次光的波长更长的波长的二次光的波长转换体，

所述波长转换体包含权利要求7～10中任一项所述的荧光体粉末。